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公开(公告)号:CN1326135C
公开(公告)日:2007-07-11
申请号:CN03820139.9
申请日:2003-08-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: L·范皮特森 , M·H·R·兰克霍斯特 , J·H·J·鲁森
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/2403 , G11B7/243 , G11B7/2533 , G11B7/2542 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713
Abstract: 描述了一种用聚焦辐射束(10)高速记录的可重写光学数据存储媒体(20)。媒体(20)包括承载各层的堆叠(2)的基片(1),堆叠(2)包括第一辅助层(3)、第二辅助层(5)和相变材料的记录层(4),相变材料主要包括Sb和Ga一种合金。记录层(4)插在第一辅助层(3)和第二辅助层(5)之间。如果合金具有由以下公式确定组分:SbzGa(100-z)和70≤z≤95,那么记录层(4)具有的结晶速度使其适合用于速度大于10m/s、在30℃条件下至少106年的保存寿命的稳定性的直接盖写高速记录数据。而且,记录层(4)具有相当低的媒体噪音。
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公开(公告)号:CN1679095A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN03820139.9
申请日:2003-08-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: L·范皮特森 , M·H·R·兰克霍斯特 , J·H·J·鲁森
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/2403 , G11B7/243 , G11B7/2533 , G11B7/2542 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713
Abstract: 描述一种用聚焦辐射束(10)高速记录的可重写光学数据存储媒体(20)。媒体(20)包括承载各层的堆叠(2)的基片(1),堆叠(2)包括第一辅助层(3)、第二辅助层(5)和相变材料的记录层(4),相变材料主要包括Sb以及Ga和In中的至少一种的合金。记录层(4)插在第一辅助层(3)和第二辅助层(5)之间。如果合金具有由以下公式确定的原子百分比组分:GaxInySbz和70=z=95及x+y+z=100,那么记录层(4)具有的结晶速度使其适合用于速度大于10m/s、在30℃条件下至少10年的保存寿命的稳定性的直接盖写高速记录数据。而且,记录层(4)具有相当低的媒体噪音。
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公开(公告)号:CN1650360A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN03809939.X
申请日:2003-04-11
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/258 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明描述了一种用于在记录过程中使用穿过介质(20)的入射表面(16)的聚焦射束(30)实现可重写的记录的多叠层光学数据存储介质(20)。所述介质(20)具有基底(1)。其一侧沉积有包括相变型记录层(6)的第一记录叠层(2)。所述第一记录叠层(2)位于最远离入射表面(16)的位置上。至少一个另外的记录叠层(3),包括相变型记录层(12),相比于第一记录叠层(2)更靠近入射表面(16)。对于射束(30)而言是透明的Cu质金属反射层位于另一记录层(3)上,厚度在2到10nm之间。透明隔离层(9)位于记录叠层(2,3)之间。这样,可以实现具有高光学透射率和足够的散热效果的金属反射层(14),其对相邻层的化学反应性还很低。
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