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公开(公告)号：CN102596852A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049555.5
申请日：2010-11-01
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C04B35/599 , C01B21/082 , C04B35/645 , C04B41/80 , C09K11/08 , C09K11/64
CPC classification number: C04B41/85 , C01B21/0826 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C01P2004/61 , C04B35/597 , C04B35/6455 , C04B41/009 , C04B41/5016 , C04B2111/807 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/662 , C04B2235/767 , C04B2235/9646 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , C04B41/0072
Abstract: 本发明提供一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述β型赛隆荧光体在β型赛隆中固溶有铕离子，所述制造方法包括混合β型塞隆荧光体的原料的混合工序；烧结混合工序后的原料形成β型赛隆荧光体的烧结工序；对烧结工序后的β型赛隆荧光体进行HIP处理的HIP处理工序；对HIP处理工序后的β型赛隆荧光体进行退火处理的退火处理工序和对退火处理工序后的β型赛隆荧光体进行酸处理的酸处理工序。根据该β型赛隆荧光体的制造方法，能够得到发光强度优异的β型赛隆荧光体。
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公开(公告)号：CN1256301C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN02822179.6
申请日：2002-11-06
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所 , 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C04B35/645 , B82Y30/00 , C04B35/563 , C04B35/64 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3813 , C04B2235/3821 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/528 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/94 , C04B2235/96
Abstract: 碳化硼质烧结体为四点抗弯强度在400MPa以上且断裂韧度在2.8MPam1/2以上的碳化硼质烧结体，具有以下2种最佳方式：(1)在加压条件下使B4C粉末、TiO2粉末和C粉末的混合粉末反应，同时进行焙烧而制得的，由碳化硼95-70mol%和二硼化钛5-30mol%构成的、碳化硼的最大粒径在5μm以下的碳化硼-二硼化钛烧结体；(2)在B4C中含有10-25mol%的CrB2，烧结体的相对密度在90%以上，烧结体中的碳化硼粒子的最大粒径在100μm以下，10-100μm粒径的碳化硼粒子对粒径在5μm以下的碳化硼粒子的存在比(面积比)在0.02-0.6的碳化硼-二硼化铬烧结体。
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公开(公告)号：CN102959044B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201180029917.9
申请日：2011-07-28
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/12 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是一种β型赛隆，用通式：Si6-zAlzOzN8-z表示，并固溶有Eu，并且在电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度为6.0×1016个/g以下。β型赛隆的制备方法具有以下工序：将原料进行混合的混合工序；将混合工序后的原料烧成为β型赛隆的烧成工序；在将混合工序后烧成工序前的原料的环境温度升温至烧成工序的烧成温度时，以2℃/min以下的升温速度从1500℃升温至烧成工序的烧成温度的升温工序；对烧成工序后的β型赛隆进行退火处理的退火工序；对退火工序后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。根据本发明，能够提供可实现高发光效率的β型赛隆及其制备方法和发光装置。
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公开(公告)号：CN103242833B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210489073.2
申请日：2012-11-26
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/592 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/646 , H01L33/486 , H01L33/504 , Y02B20/181
Abstract: 本发明提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有：峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体（A）；峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（B）；峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体（C）。荧光体（A）的配比为20质量%以上至35质量%以下，荧光体（B）的配比为50质量%以上至70质量%以下，荧光体（C）的配比为10质量%以上至20质量%以下。
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公开(公告)号：CN103242842A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210488653.X
申请日：2012-11-26
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7706 , H01L33/504 , Y02B20/181
Abstract: 本发明提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有：峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（A）；峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体（B）。荧光体（A）的配比为74质量%以上至89质量%以下，荧光体（B）的配比为11质量%以上至19质量%以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102933683A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027981.3
申请日：2011-07-04
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734
Abstract: 本发明是一种β型赛隆的制备方法，其具有对原料粉末进行烧成的烧成工序，所述β型赛隆用通式：Si6-zAlzOzN8-z：Eu表示，在所述原料粉末中，Al含量为0.3~1.2质量％，O含量为0.15~1质量％，O/Al摩尔比为0.9~1.3，Si含量为58~60质量％，N含量为37~40质量%，N/Si摩尔比为1.25~1.45，以及Eu含量为0.3~0.7质量%，所述烧成工序是在氮化气氛中，于1850~2050℃的温度范围对所述原料粉末进行烧成的烧成工序，制备出的β型赛隆在CIExy色度坐标中显示为0.280≤x≤0.340、0.630≤y≤0.675。
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公开(公告)号：CN103242843B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210488685.X
申请日：2012-11-26
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/646 , C09K11/0883 , C09K11/59 , C09K11/7734 , H01L33/504 , H01L33/58 , Y02B20/181
Abstract: 本发明提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有：峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体（A）；峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（B）；峰值波长为645nm以上至655nm以下的氧氮化物荧光体（C）。荧光体（A）的配比为20质量%以上至35质量%以下，荧光体（B）的配比为50质量%以上至70质量%以下，荧光体（C）的配比为10质量%以上至20质量%以下。
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公开(公告)号：CN102618276B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210020012.1
申请日：2012-01-21
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/12 , Y10T428/2982 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供α型赛隆、发光装置及其用途，其能实现白色LED等发光装置的高亮度化并使Eu活化。α型赛隆是用通式：(M)x(Eu)y(Si)12-(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16-n(M是从Li、Mg、Ca、Y和除La和Ce之外的镧系元素中选出的至少包含Ca的一种以上元素)表示并使Eu固溶，α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径为5μm以上，优选α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径与二次粒子的50％面积平均粒径之比为0.56以上。发光装置(10)包括发光光源(12)和波长转换部件(15)，波长转换部件(15)包括：吸收由发光光源(12)产生的近紫外至蓝色光并发出黄～橙色光的α型赛隆(18)。
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公开(公告)号：CN103080270A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180028320.2
申请日：2011-07-15
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , Y10T428/2982 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种β型赛隆的制备方法，其具有如下工序：将氧化铝或氧化硅中的至少一种、氮化硅、氮化铝和铕化合物进行混合的混合工序；以大于1950℃且小于等于2200℃、10小时以上的条件对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序；和烧成工序后在1300℃以上至1600℃以下、分压为10kPa以下的除氮气以外的惰性气体气氛中进行热处理的热处理工序。
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公开(公告)号：CN102959044A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180029917.9
申请日：2011-07-28
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/12 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是一种β型赛隆，用通式：Si6-zAlzOzN8-z表示，并固溶有Eu，并且在电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度为6.0×1016个/g以下。β型赛隆的制备方法具有以下工序：将原料进行混合的混合工序；将混合工序后的原料烧成为β型赛隆的烧成工序；在将混合工序后烧成工序前的原料的环境温度升温至烧成工序的烧成温度时，以2℃/min以下的升温速度从1500℃升温至烧成工序的烧成温度的升温工序；对烧成工序后的β型赛隆进行退火处理的退火工序；对退火工序后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。根据本发明，能够提供可实现高发光效率的β型赛隆及其制备方法和发光装置。
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