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公开(公告)号：CN103080270A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180028320.2
申请日：2011-07-15
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , Y10T428/2982 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种β型赛隆的制备方法，其具有如下工序：将氧化铝或氧化硅中的至少一种、氮化硅、氮化铝和铕化合物进行混合的混合工序；以大于1950℃且小于等于2200℃、10小时以上的条件对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序；和烧成工序后在1300℃以上至1600℃以下、分压为10kPa以下的除氮气以外的惰性气体气氛中进行热处理的热处理工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959044A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180029917.9
申请日：2011-07-28
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/12 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是一种β型赛隆，用通式：Si6-zAlzOzN8-z表示，并固溶有Eu，并且在电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度为6.0×1016个/g以下。β型赛隆的制备方法具有以下工序：将原料进行混合的混合工序；将混合工序后的原料烧成为β型赛隆的烧成工序；在将混合工序后烧成工序前的原料的环境温度升温至烧成工序的烧成温度时，以2℃/min以下的升温速度从1500℃升温至烧成工序的烧成温度的升温工序；对烧成工序后的β型赛隆进行退火处理的退火工序；对退火工序后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。根据本发明，能够提供可实现高发光效率的β型赛隆及其制备方法和发光装置。
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公开(公告)号：CN102575158A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080048286.0
申请日：2010-10-27
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/0826 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2006/60 , C09K11/0883
Abstract: 本发明提供一种β型赛隆荧光体的制造方法，该方法不需要添加构成β型赛隆荧光体的元素以外的金属元素，并且能够提高发光强度。即，是一种在氮化物或氧氮化物的结晶中含有作为发光中心的光学活性元素的荧光体的制造方法，该方法通过加热处理含有金属化合物粉末和光学活性元素化合物的混合物的烧结工序、冷却烧结物后在氮气气氛下对其进行加热处理的高温退火工序、在稀有气体气氛下加热处理高温退火处理物的稀有气体退火工序和用酸处理稀有气体处理物的工序，来制造β型赛隆荧光体。
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公开(公告)号：CN102575158B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080048286.0
申请日：2010-10-27
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/0826 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2006/60 , C09K11/0883
Abstract: 本发明提供一种β型赛隆荧光体的制造方法，该方法不需要添加构成β型赛隆荧光体的元素以外的金属元素，并且能够提高发光强度。即，是一种在氮化物或氧氮化物的结晶中含有作为发光中心的光学活性元素的荧光体的制造方法，该方法通过加热处理含有金属化合物粉末和光学活性元素化合物的混合物的烧结工序、冷却烧结物后在氮气气氛下对其进行加热处理的高温退火工序、在稀有气体气氛下加热处理高温退火处理物的稀有气体退火工序和用酸处理稀有气体处理物的工序，来制造β型赛隆荧光体。
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公开(公告)号：CN102959044B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201180029917.9
申请日：2011-07-28
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/12 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是一种β型赛隆，用通式：Si6-zAlzOzN8-z表示，并固溶有Eu，并且在电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度为6.0×1016个/g以下。β型赛隆的制备方法具有以下工序：将原料进行混合的混合工序；将混合工序后的原料烧成为β型赛隆的烧成工序；在将混合工序后烧成工序前的原料的环境温度升温至烧成工序的烧成温度时，以2℃/min以下的升温速度从1500℃升温至烧成工序的烧成温度的升温工序；对烧成工序后的β型赛隆进行退火处理的退火工序；对退火工序后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。根据本发明，能够提供可实现高发光效率的β型赛隆及其制备方法和发光装置。
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公开(公告)号：CN102939273A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180023906.X
申请日：2011-04-21
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C04B35/599 , C01B21/082 , C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/64 , H01L33/50
CPC classification number: C09K11/7729 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B35/6268 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/422 , C04B2235/658 , C04B2235/6587 , C04B2235/721 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/9646 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H05B33/14
Abstract: 一种具有烧成工序的β型赛隆的制造方法，所述烧成工序是将氮化硅、氮化铝、氧化铝或氧化硅中的至少一种、光学活性元素化合物进行混合而得到的β型赛隆的原料，在1820℃以上至2200℃以下的温度进行烧成，在烧成工序中，将多个氮化硼制容器配置在石墨箱内，以使填充在多个氮化硼制容器中的β型赛隆的原料易于与氮气接触，并在氮气环境下进行烧成，由此可得到碳含量下降、且具有高发光强度的新型的β型赛隆。
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