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公开(公告)号：CN119171034A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411528689.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域，公开了一种基于矩形波导SSPP模式切换的太赫兹移相器，包括输入矩形波导、周期性矩形波导结构、二极管调控微结构芯片、非调控微结构芯片、输出矩形波导；输入矩形波导起到输入太赫兹波的作用，与周期性矩形波导结构的一端连接；周期性矩形波导结构一部分为直通矩形波导，另一部分为周期排列的微开口矩形腔，二极管调控微结构芯片包括芯片基板、接地金属块、不接地金属块、高阻抗馈电线、低阻抗馈电金属块、二极管；非调控微结构芯片包括非调控芯片基板、非调控接地金属块、非调控不接地金属块；二极管调控微结构芯片与非调控微结构芯片分别嵌入在直通矩形波导两个长边上呈现对称分布的两个微开口矩形腔中。
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公开(公告)号：CN117410721A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311618612.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开的基于苝结构的广角宽频多波段太赫兹透反射线圆极化转换超表面器件，其器件为超表面结构，谐振结构是在苝的化学结构上进行合理设计与衍生，并在特定的位置进行开口与联接，并与正六边形的苯结构共同组成一个谐振整体。该超表面器件能够在特定频段内将入射的线极化太赫兹波转化成圆极化的太赫兹波，并在透射和反射两个方向同时发射。该发明能够在多个频率内实现透反射线圆极化转换，在0.182THz至0.283THz之间的存在最大极化带宽为43.5％，同时在该频段入射角到0度到75度仍然能保持透反射型线圆极化转换功能。在0.438THz至0.498THz之间的极化带宽为12.8％，入射角在0度到65度仍然存在圆极化转换功能。
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公开(公告)号：CN120074636A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510242373.8
申请日：2025-03-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H04B7/185 , H04B7/06 , G06F18/214
Abstract: 本发明公开了一种基于模拟波束的无人机波束跟踪方法，包括以下步骤：S1、基站端进行波束扫描；S2、基于AI进行角度估计；S3、对目标进行定位，获得目标的坐标信息；S4、对目标建立观测方程，并利用扩展卡尔曼滤波进行跟踪滤波；S5、将波束中心调整到目标所在方向；S6、基站用所述波束与无人机进行通信，建立通信链路；S7、对目标SNR进行监测。本发明适用于任意形式的阵列，可适用均匀线阵、稀疏阵，也可以扩展到各类面阵，本发明的波束扫描可以基于数字波束或者模拟波束，可实现低成本的波束扫描方案。
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公开(公告)号：CN117134123A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311092389.2
申请日：2023-08-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01Q15/00 , H01Q21/06 , H01Q21/00 , H01Q15/14 , H01Q19/10 , H01Q13/02 , H01Q1/50 , H01Q1/00 , H01Q1/24 , H01Q1/22 , H01Q3/30 , G06F30/17 , G06F30/20 , G06F30/23
Abstract: 本发明属于微波通信技术领域，尤其涉及一种基于环形微带超表面结构单元的X波段反射阵天线，包括微带超构反射阵列和波导喇叭馈源，其中微带超构反射阵列是由介质基板、介质基板上表面的方环金属结构薄层和金属贴片薄层组成。通过将微带超构反射阵列加载到波导喇叭的输出端口平面上，来调整波导喇叭这个馈源所发射的X频段电磁波的幅度和相位，从而增强波导喇叭天线辐射波的准直和高增益辐射等。本发明的优点在于微带超构反射阵列天线的高反射、高增益、高定向、小型化、可集成化和低功耗，并且加工成本低、加工时间短，另外通过调整结构单元阵列的排布方式还能够实现功能的多样化。本发明用于波束的调制，可应用于微波通信系统和雷达天馈系统等中。
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公开(公告)号：CN115588828A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211083798.1
申请日：2022-09-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于电磁功能器件领域，具体涉及一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器，包括：矩形波导输入端口、基底、矩形波导－鳍线过渡结构、鳍线结构、探针型微结构移相单元、其馈电开口部分、鳍线－矩形波导过渡结构、矩形波导输出端口，本发明针对现有的太赫兹波相位调制器移相技术方案少，移相时插入损耗大、相移范围小、器件尺寸大且可集成性低的问题，通过电压控制探针型微结构移相单元上二极管的通断，改变探针对鳍线的微扰强度，使得鳍线的等效介电常数发生变化，从而实现太赫兹波的相移；再通过中心对称、平行排列的方式进行叠加对个移相单元，最终实现低插损的多位太赫兹波相移，保证良好的工作状态，推进太赫兹相位调控技术的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119270531A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411528688.0
申请日：2024-10-30
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于但不限于电磁功能器件技术领域，尤其涉及一种基于波导定向耦合孔的太赫兹幅度调制器，包括输入矩形波导、输出矩形波导、第一波导定向耦合孔、第二波导定向耦合孔、第一反射短路面、第二反射短路面、幅度调制电路结构；其中输入矩形波导与第一反射短路面直接连接；输出矩形波导与第二反射短路面直接连接；输入矩形波导与输出矩形波导之间通过第一波导定向耦合孔、第二波导定向耦合孔这两个定向耦合孔连接；幅度调制电路结构的一端插入第二波导定向耦合孔中，另一端有对外的馈电开口以进行外部电压调控。本发明创造性地结合波导定向耦合孔与幅度调制电路结构，实现了简易方便的太赫兹幅度调制，提供了新的太赫兹调控方案。
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公开(公告)号：CN115128847B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210665891.7
申请日：2022-06-13
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域，公开了一种加载多个VO2片上微结构单元的太赫兹相位调制器及方法，所述基于鳍线加载多个VO2片上微结构单元的太赫兹调制器结构包括：波导输入端口，波导－鳍线过渡部分，多个VO2片上微结构单元，鳍线－波导过渡部分，波导输出端口以及外部激光馈入部分。本发明采用简单对称的方形裂口环结构，可以对于大小不同的太赫兹电磁波进行控制，结构简单，方便调制；本发明通过简单的插入式结构实现对于太赫兹电磁波的调制，通过激光刻蚀、细微加工等手段实现，且制作简单，使用方便，具有良好的应用潜力和前景。
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公开(公告)号：CN116190946A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310222456.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明涉及电磁功能器件技术领域，尤其涉及一种基于反射‑传输结合移相方法的多位太赫兹移相器，包括输入波导、大面积基片上的波导‑微带线过渡结构、反射式太赫兹移相结构、传输式太赫兹移相结构、大面积基片上的微带线‑波导过渡结构、输出波导。本发明提出的基于反射‑传输结合移相方法的多位太赫兹移相器，其采用大面积基片的波导‑微带线过渡结构，减小器件的插入损耗，避免过大的反射损坏太赫兹源，易于与其他太赫兹模块搭配工作，实现良好的工作效果。本发明采用编码电压控制二极管的通断，实现360°的多位太赫兹相位调控，编码电压可以与数字基带电路方便地结合，实现高速信息传输。
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公开(公告)号：CN116190946B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202310222456.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明涉及电磁功能器件技术领域，尤其涉及一种基于反射‑传输结合移相方法的多位太赫兹移相器，包括输入波导、大面积基片上的波导‑微带线过渡结构、反射式太赫兹移相结构、传输式太赫兹移相结构、大面积基片上的微带线‑波导过渡结构、输出波导。本发明提出的基于反射‑传输结合移相方法的多位太赫兹移相器，其采用大面积基片的波导‑微带线过渡结构，减小器件的插入损耗，避免过大的反射损坏太赫兹源，易于与其他太赫兹模块搭配工作，实现良好的工作效果。本发明采用编码电压控制二极管的通断，实现360°的多位太赫兹相位调控，编码电压可以与数字基带电路方便地结合，实现高速信息传输。
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公开(公告)号：CN118712239A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410765153.9
申请日：2024-06-14
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01L29/872 , H01L29/207 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于二极管技术领域，公开了一种低寄生效应的肖特基势垒二极管结构及其制备方法。本发明公开了一种低寄生效应的肖特基势垒二极管结构及其制备方法，涉及太赫兹通信技术领域。所述肖特基二极管包括由下至上依次形成的砷化镓(GaAs)衬底、n型重掺杂GaAs层、n型轻掺杂GaAs阳极柱、苯并环丁烯(BCB)填平层、氧化硅钝化层，以及肖特基接触电极和欧姆接触电极。本发明能广泛应用于太赫兹通信领域，低寄生效应的肖特基二极管可以极大提升太赫兹固态电子器件的性能，进而推进太赫兹通信技术的发展；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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