一种基于反射-传输结合移相方法的多位太赫兹移相器

    公开(公告)号:CN116190946B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202310222456.1

    申请日:2023-03-09

    Abstract: 本发明涉及电磁功能器件技术领域,尤其涉及一种基于反射‑传输结合移相方法的多位太赫兹移相器,包括输入波导、大面积基片上的波导‑微带线过渡结构、反射式太赫兹移相结构、传输式太赫兹移相结构、大面积基片上的微带线‑波导过渡结构、输出波导。本发明提出的基于反射‑传输结合移相方法的多位太赫兹移相器,其采用大面积基片的波导‑微带线过渡结构,减小器件的插入损耗,避免过大的反射损坏太赫兹源,易于与其他太赫兹模块搭配工作,实现良好的工作效果。本发明采用编码电压控制二极管的通断,实现360°的多位太赫兹相位调控,编码电压可以与数字基带电路方便地结合,实现高速信息传输。

    一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器

    公开(公告)号:CN115588828A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211083798.1

    申请日:2022-09-06

    Abstract: 本发明属于电磁功能器件领域,具体涉及一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器,包括:矩形波导输入端口、基底、矩形波导-鳍线过渡结构、鳍线结构、探针型微结构移相单元、其馈电开口部分、鳍线-矩形波导过渡结构、矩形波导输出端口,本发明针对现有的太赫兹波相位调制器移相技术方案少,移相时插入损耗大、相移范围小、器件尺寸大且可集成性低的问题,通过电压控制探针型微结构移相单元上二极管的通断,改变探针对鳍线的微扰强度,使得鳍线的等效介电常数发生变化,从而实现太赫兹波的相移;再通过中心对称、平行排列的方式进行叠加对个移相单元,最终实现低插损的多位太赫兹波相移,保证良好的工作状态,推进太赫兹相位调控技术的发展。

    一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器

    公开(公告)号:CN114843781A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210401856.4

    申请日:2022-04-18

    Abstract: 本发明提供了一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器,以使得太赫兹矢量调制器能够实现对幅度和相位的同时精确控制,同时要求使用器件少、占用面积小、成本低。本发明公开了一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器,包括矩形波导、芯片区空腔与太赫兹矢量调制芯片,所述矩形波导由输入波导与输出波导构成,所述输入波导与所述输出波导之间固设有所述芯片区空腔,所述芯片区空腔内放置有所述太赫兹矢量调制芯片,所述太赫兹矢量调制芯片由基底以及设置于基底上的金属结构构成,本装置采用简单式的双相调制器结构,这种结构能够很好的匹配二极管的寄生参数,能够让二极管的寄生参数对整体结构的不良影响减低到最小。

    一种基于反射-传输结合移相方法的多位太赫兹移相器

    公开(公告)号:CN116190946A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310222456.1

    申请日:2023-03-09

    Abstract: 本发明涉及电磁功能器件技术领域,尤其涉及一种基于反射‑传输结合移相方法的多位太赫兹移相器,包括输入波导、大面积基片上的波导‑微带线过渡结构、反射式太赫兹移相结构、传输式太赫兹移相结构、大面积基片上的微带线‑波导过渡结构、输出波导。本发明提出的基于反射‑传输结合移相方法的多位太赫兹移相器,其采用大面积基片的波导‑微带线过渡结构,减小器件的插入损耗,避免过大的反射损坏太赫兹源,易于与其他太赫兹模块搭配工作,实现良好的工作效果。本发明采用编码电压控制二极管的通断,实现360°的多位太赫兹相位调控,编码电压可以与数字基带电路方便地结合,实现高速信息传输。

    一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器

    公开(公告)号:CN114843781B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210401856.4

    申请日:2022-04-18

    Abstract: 本发明提供了一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器,以使得太赫兹矢量调制器能够实现对幅度和相位的同时精确控制,同时要求使用器件少、占用面积小、成本低。本发明公开了一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器,包括矩形波导、芯片区空腔与太赫兹矢量调制芯片,所述矩形波导由输入波导与输出波导构成,所述输入波导与所述输出波导之间固设有所述芯片区空腔,所述芯片区空腔内放置有所述太赫兹矢量调制芯片,所述太赫兹矢量调制芯片由基底以及设置于基底上的金属结构构成,本装置采用简单式的双相调制器结构,这种结构能够很好的匹配二极管的寄生参数,能够让二极管的寄生参数对整体结构的不良影响减低到最小。

Patent Agency Ranking