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公开(公告)号：CN120074636A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510242373.8
申请日：2025-03-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H04B7/185 , H04B7/06 , G06F18/214
Abstract: 本发明公开了一种基于模拟波束的无人机波束跟踪方法，包括以下步骤：S1、基站端进行波束扫描；S2、基于AI进行角度估计；S3、对目标进行定位，获得目标的坐标信息；S4、对目标建立观测方程，并利用扩展卡尔曼滤波进行跟踪滤波；S5、将波束中心调整到目标所在方向；S6、基站用所述波束与无人机进行通信，建立通信链路；S7、对目标SNR进行监测。本发明适用于任意形式的阵列，可适用均匀线阵、稀疏阵，也可以扩展到各类面阵，本发明的波束扫描可以基于数字波束或者模拟波束，可实现低成本的波束扫描方案。
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公开(公告)号：CN117153893A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311138445.1
申请日：2023-09-05
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01L29/872 , H01L29/41 , H03B19/16
Abstract: 本发明涉及一种指型肖特基二极管及三倍频器，属于太赫兹器件技术领域，包括依次从上至下分布的防氧化层、外延层、缓冲层和衬底，防氧化层的上端设有肖特基二极管的阴极和阳极，其中阳极设为指型结构，指型结构为两个半圆中间加入一个矩形构成的类椭圆的指型结构。本发明通过将圆形阳极柱改为指型阳极柱，增大了肖特基二极管阳极柱的面积，使得肖特基二极管可以承受更大的输入功率，增大了倍频器件的利用效率，增加了整体倍频器的输出功率和倍频效率。
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公开(公告)号：CN117134123A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311092389.2
申请日：2023-08-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01Q15/00 , H01Q21/06 , H01Q21/00 , H01Q15/14 , H01Q19/10 , H01Q13/02 , H01Q1/50 , H01Q1/00 , H01Q1/24 , H01Q1/22 , H01Q3/30 , G06F30/17 , G06F30/20 , G06F30/23
Abstract: 本发明属于微波通信技术领域，尤其涉及一种基于环形微带超表面结构单元的X波段反射阵天线，包括微带超构反射阵列和波导喇叭馈源，其中微带超构反射阵列是由介质基板、介质基板上表面的方环金属结构薄层和金属贴片薄层组成。通过将微带超构反射阵列加载到波导喇叭的输出端口平面上，来调整波导喇叭这个馈源所发射的X频段电磁波的幅度和相位，从而增强波导喇叭天线辐射波的准直和高增益辐射等。本发明的优点在于微带超构反射阵列天线的高反射、高增益、高定向、小型化、可集成化和低功耗，并且加工成本低、加工时间短，另外通过调整结构单元阵列的排布方式还能够实现功能的多样化。本发明用于波束的调制，可应用于微波通信系统和雷达天馈系统等中。
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公开(公告)号：CN115588828A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211083798.1
申请日：2022-09-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于电磁功能器件领域，具体涉及一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器，包括：矩形波导输入端口、基底、矩形波导－鳍线过渡结构、鳍线结构、探针型微结构移相单元、其馈电开口部分、鳍线－矩形波导过渡结构、矩形波导输出端口，本发明针对现有的太赫兹波相位调制器移相技术方案少，移相时插入损耗大、相移范围小、器件尺寸大且可集成性低的问题，通过电压控制探针型微结构移相单元上二极管的通断，改变探针对鳍线的微扰强度，使得鳍线的等效介电常数发生变化，从而实现太赫兹波的相移；再通过中心对称、平行排列的方式进行叠加对个移相单元，最终实现低插损的多位太赫兹波相移，保证良好的工作状态，推进太赫兹相位调控技术的发展。
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公开(公告)号：CN114843781A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210401856.4
申请日：2022-04-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器，以使得太赫兹矢量调制器能够实现对幅度和相位的同时精确控制，同时要求使用器件少、占用面积小、成本低。本发明公开了一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器，包括矩形波导、芯片区空腔与太赫兹矢量调制芯片，所述矩形波导由输入波导与输出波导构成，所述输入波导与所述输出波导之间固设有所述芯片区空腔，所述芯片区空腔内放置有所述太赫兹矢量调制芯片，所述太赫兹矢量调制芯片由基底以及设置于基底上的金属结构构成，本装置采用简单式的双相调制器结构，这种结构能够很好的匹配二极管的寄生参数，能够让二极管的寄生参数对整体结构的不良影响减低到最小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119171034A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411528689.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域，公开了一种基于矩形波导SSPP模式切换的太赫兹移相器，包括输入矩形波导、周期性矩形波导结构、二极管调控微结构芯片、非调控微结构芯片、输出矩形波导；输入矩形波导起到输入太赫兹波的作用，与周期性矩形波导结构的一端连接；周期性矩形波导结构一部分为直通矩形波导，另一部分为周期排列的微开口矩形腔，二极管调控微结构芯片包括芯片基板、接地金属块、不接地金属块、高阻抗馈电线、低阻抗馈电金属块、二极管；非调控微结构芯片包括非调控芯片基板、非调控接地金属块、非调控不接地金属块；二极管调控微结构芯片与非调控微结构芯片分别嵌入在直通矩形波导两个长边上呈现对称分布的两个微开口矩形腔中。
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公开(公告)号：CN117410721A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311618612.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开的基于苝结构的广角宽频多波段太赫兹透反射线圆极化转换超表面器件，其器件为超表面结构，谐振结构是在苝的化学结构上进行合理设计与衍生，并在特定的位置进行开口与联接，并与正六边形的苯结构共同组成一个谐振整体。该超表面器件能够在特定频段内将入射的线极化太赫兹波转化成圆极化的太赫兹波，并在透射和反射两个方向同时发射。该发明能够在多个频率内实现透反射线圆极化转换，在0.182THz至0.283THz之间的存在最大极化带宽为43.5％，同时在该频段入射角到0度到75度仍然能保持透反射型线圆极化转换功能。在0.438THz至0.498THz之间的极化带宽为12.8％，入射角在0度到65度仍然存在圆极化转换功能。
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公开(公告)号：CN116360127A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310222459.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及电磁功能器件技术领域，尤其涉及一种基于传输谐振耦合的太赫兹全频带幅度调制器，包括输入波导区、输入波导‑共面波导过渡区、共面波导调制区、馈电滤波区、共面波导‑输出波导过渡区和输出波导区，输入波导区/输出波导区，由减高波导构成，输入输出波导口尺寸与标准波导相同；输入波导‑共面波导过渡区/共面波导‑输出波导过渡区，由探针及匹配线组成，用于实现波导到共面波导的模式转换；共面波导调制区是共面波导及二极管构成，二极管嵌套在共面波导中形成调制单元，对耦合到共面波导上的太赫兹电磁波进行幅度调制；通过设计使得每个调制单元对应一个谐振频点，多个调制单元的存在使得多个谐振频点同时存在，从而实现拓带的效果。
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公开(公告)号：CN113937440B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111056697.0
申请日：2021-09-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于变容二极管的微带反射式动态太赫兹移相器，包括输入波导、输入波导‑微带线过渡结构、微带线3dB定向耦合器、接地结构、反射电路、微带线‑输出波导过渡结构和输出波导，所述反射电路包括第一金属匹配结构、砷化镓变容二极管、第二金属匹配结构以及馈电金属结构，所述第一金属匹配结构的一端与微带线3dB定向耦合器的第一反射端口或第二反射端口连接，另一端与砷化镓变容二极管的负极连接，所述第二金属匹配结构的一端与砷化镓变容二极管的正极连接，另一端与馈电金属结构连接。本发明可以提供连续动态的太赫兹相位调控，同时保持较低的插入损耗。
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公开(公告)号：CN113937440A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111056697.0
申请日：2021-09-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于变容二极管的微带反射式动态太赫兹移相器，包括输入波导、输入波导‑微带线过渡结构、微带线3dB定向耦合器、接地结构、反射电路、微带线‑输出波导过渡结构和输出波导，所述反射电路包括第一金属匹配结构、砷化镓变容二极管、第二金属匹配结构以及馈电金属结构，所述第一金属匹配结构的一端与微带线3dB定向耦合器的第一反射端口或第二反射端口连接，另一端与砷化镓变容二极管的负极连接，所述第二金属匹配结构的一端与砷化镓变容二极管的正极连接，另一端与馈电金属结构连接。本发明可以提供连续动态的太赫兹相位调控，同时保持较低的插入损耗。
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