一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器

    公开(公告)号:CN115588828A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211083798.1

    申请日:2022-09-06

    Abstract: 本发明属于电磁功能器件领域,具体涉及一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器,包括:矩形波导输入端口、基底、矩形波导-鳍线过渡结构、鳍线结构、探针型微结构移相单元、其馈电开口部分、鳍线-矩形波导过渡结构、矩形波导输出端口,本发明针对现有的太赫兹波相位调制器移相技术方案少,移相时插入损耗大、相移范围小、器件尺寸大且可集成性低的问题,通过电压控制探针型微结构移相单元上二极管的通断,改变探针对鳍线的微扰强度,使得鳍线的等效介电常数发生变化,从而实现太赫兹波的相移;再通过中心对称、平行排列的方式进行叠加对个移相单元,最终实现低插损的多位太赫兹波相移,保证良好的工作状态,推进太赫兹相位调控技术的发展。

    加载多个VO2片上微结构单元的太赫兹相位调制器及方法

    公开(公告)号:CN115128847A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210665891.7

    申请日:2022-06-13

    Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域,公开了一种加载多个VO2片上微结构单元的太赫兹相位调制器及方法,所述基于鳍线加载多个VO2片上微结构单元的太赫兹调制器结构包括:波导输入端口,波导-鳍线过渡部分,多个VO2片上微结构单元,鳍线-波导过渡部分,波导输出端口以及外部激光馈入部分。本发明采用简单对称的方形裂口环结构,可以对于大小不同的太赫兹电磁波进行控制,结构简单,方便调制;本发明通过简单的插入式结构实现对于太赫兹电磁波的调制,通过激光刻蚀、细微加工等手段实现,且制作简单,使用方便,具有良好的应用潜力和前景。

    加载多个VO2片上微结构单元的太赫兹相位调制器及方法

    公开(公告)号:CN115128847B

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202210665891.7

    申请日:2022-06-13

    Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域,公开了一种加载多个VO2片上微结构单元的太赫兹相位调制器及方法,所述基于鳍线加载多个VO2片上微结构单元的太赫兹调制器结构包括:波导输入端口,波导-鳍线过渡部分,多个VO2片上微结构单元,鳍线-波导过渡部分,波导输出端口以及外部激光馈入部分。本发明采用简单对称的方形裂口环结构,可以对于大小不同的太赫兹电磁波进行控制,结构简单,方便调制;本发明通过简单的插入式结构实现对于太赫兹电磁波的调制,通过激光刻蚀、细微加工等手段实现,且制作简单,使用方便,具有良好的应用潜力和前景。

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