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公开(公告)号：CN115047935A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210584208.7
申请日：2022-05-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种高压低功耗的E/D基准电路，它由启动偏置电路模块、E/D基准核心电路和修调电路模块三部分组成。启动偏置电路模块用于在电源电压建立时使E/D基准电路脱离错误的简并点，同时为基准核心电路中的共栅管提供电压偏置，保证基准的正常建立；E/D基准核心电路利用增强型NMOS管和耗尽型NMOS管的不同阈值电压产生与温度、电源电压无关的基准电压，具有较低的静态电流和良好的温度系数，且电路中使用了较多高压功率管，结合Cascode结构的电流偏置保证了基准能够在数十伏的高压输入下工作；由于在不同的工艺角下阈值电压的变化较大，因此该E/D基准包含了一个N‑bit的修调电路模块，保证了该基准电压在不同的工艺角下均具有良好的温度系数。
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公开(公告)号：CN115047935B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202210584208.7
申请日：2022-05-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种高压低功耗的E/D基准电路，它由启动偏置电路模块、E/D基准核心电路和修调电路模块三部分组成。启动偏置电路模块用于在电源电压建立时使E/D基准电路脱离错误的简并点，同时为基准核心电路中的共栅管提供电压偏置，保证基准的正常建立；E/D基准核心电路利用增强型NMOS管和耗尽型NMOS管的不同阈值电压产生与温度、电源电压无关的基准电压，具有较低的静态电流和良好的温度系数，且电路中使用了较多高压功率管，结合Cascode结构的电流偏置保证了基准能够在数十伏的高压输入下工作；由于在不同的工艺角下阈值电压的变化较大，因此该E/D基准包含了一个N‑bit的修调电路模块，保证了该基准电压在不同的工艺角下均具有良好的温度系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116301160A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310300519.0
申请日：2023-03-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种无片外电容快速响应LDO电路，属于集成电路技术领域。该电路包括高增益Class AB OTA模块、电容倍增电路模块和电压输出模块；其中电压输出模块分别与高增益Class AB OTA模块的输出端以及电容倍增电路模块的输出端连接。高增益Class AB OTA模块用于对电压输出模块进行充放电，在较低功耗下产生较大的电流，提高电路瞬态响应能力；电容倍增电路模块用于减小环路补偿所需要用到的电容面积，实现更快的瞬态响应。本发明提高了电路的瞬态响应能力，减小了电容面积，易于集成化。
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公开(公告)号：CN114679036A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210506704.0
申请日：2022-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域和功率电子领域，具体来说是一种用于驱动功率LDMOS的高速栅极驱动电路，包括无片外电容的LDO模块、短脉冲电流源模块和驱动器模块。其中，短脉冲电流源模块的输出接在驱动器的供电端或浮地端，当前级电路给出开通功率管的信号时，注入短脉冲电流迅速开启功率管；当短脉冲电流源模块内部的栅电位监测电路判断功率管已经导通后，控制逻辑关闭短脉冲电流。此外，无片外电容LDO模块的输出也连接在驱动器的供电端或浮地端，使功率管栅源电压最终稳定在准确的开启电压上。通过将快速瞬态响应的无片外电容LDO与短脉冲电流源结合，实现了高速的动态响应，将功率管的开启时间有效缩短，同时节省了外部无源元件，简化了系统结构。
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公开(公告)号：CN114825960B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210446466.9
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种实时自适应前沿消隐电路。本发明包括固定前沿消隐模块、自适应前沿消隐模块和电流采样模块：固定前沿消隐模块用于产生固定消隐时间；自适应前沿消隐模块根据反映原边侧电流信息的VCS电压的上升下降沿的情况，自适应地输出重置信号VRESET来重置固定消隐时间，从而实现实时型自适应功能；电流采样模块根据上述两模块决定的前沿消隐信号VLEB开启时间范围内，对原边侧电压VCS进行采样。本发明所述的实时自适应前沿消隐电路用于含变压器的隔离型开关变换器中，可避免电流尖峰造成的过流误判断问题。所述自适应前沿消隐电路适合于多样的应用环境，电路结构简单易实现、反应速度提升、电路版图面积小。
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公开(公告)号：CN114679036B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210506704.0
申请日：2022-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域和功率电子领域，具体来说是一种用于驱动功率LDMOS的高速栅极驱动电路，包括无片外电容的LDO模块、短脉冲电流源模块和驱动器模块。其中，短脉冲电流源模块的输出接在驱动器的供电端或浮地端，当前级电路给出开通功率管的信号时，注入短脉冲电流迅速开启功率管；当短脉冲电流源模块内部的栅电位监测电路判断功率管已经导通后，控制逻辑关闭短脉冲电流。此外，无片外电容LDO模块的输出也连接在驱动器的供电端或浮地端，使功率管栅源电压最终稳定在准确的开启电压上。通过将快速瞬态响应的无片外电容LDO与短脉冲电流源结合，实现了高速的动态响应，将功率管的开启时间有效缩短，同时节省了外部无源元件，简化了系统结构。
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公开(公告)号：CN114825960A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210446466.9
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种实时自适应前沿消隐电路。本发明包括固定前沿消隐模块、自适应前沿消隐模块和电流采样模块：固定前沿消隐模块用于产生固定消隐时间；自适应前沿消隐模块根据反映原边侧电流信息的VCS电压的上升下降沿的情况，自适应地输出重置信号VRESET来重置固定消隐时间，从而实现实时型自适应功能；电流采样模块根据上述两模块决定的前沿消隐信号VLEB开启时间范围内，对原边侧电压VCS进行采样。本发明所述的实时自适应前沿消隐电路用于含变压器的隔离型开关变换器中，可避免电流尖峰造成的过流误判断问题。所述自适应前沿消隐电路适合于多样的应用环境，电路结构简单易实现、反应速度提升、电路版图面积小。
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