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公开(公告)号：CN101694989B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910167869.4
申请日：2009-10-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于声界面波、集成MEMS开关的单片滤波器组件及其制备方法，该组件由一组或者几组相互垂直排列且成层状结构的上述声界面滤波器和分布在每组声界面滤波器周围相对应的MEMS开关集成，MEMS开关的信号输入电极、信号输出电极、接地电极与封装对应的焊盘均用引线连接，滤波器的信号输出电极通过引线连接MEMS开关的信号输入电极，滤波器的信号输入电极通过引线连接MEMS开关的信号输出电极。该滤波器组件克服了现有技术中开关与滤波器分离、体积庞大的缺点，实现了滤波器的纵向排列和滤波器与开关的集成，大幅度缩小了滤波器组件的体积。
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公开(公告)号：CN101217266B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810045142.4
申请日：2008-01-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种体声波谐振器，包括衬底、压电膜层、上层金属电极层和下层金属电极层，其特征在于；还包括设置在所述衬底上的薄膜支撑层，该薄膜支撑层与所述衬底的接触面上设置有空气气隙结构；从所述薄膜支撑层、下层金属电极层、压电膜层和上层金属电极层向上依次重叠形成谐振区域。该谐振器克服了现有技术中所存在的缺点，利用表面微加工工艺和牺牲层技术，无需对硅衬底进行凹槽刻蚀工艺，无需进行化学机械抛光工艺，能极大地提高了工艺制备的可行性，很大程度上降低了生产成本，并且仍具有较高的Q值，保证了谐振器的特性。
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公开(公告)号：CN101465457A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910058141.8
申请日：2009-01-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种高功率宽带四路功率分配、合成器，其特征在于，包括一个具有功率分配/合成功能的升阻抗变换器和两个具有功率分配/合成功能的降阻抗变换器，减少两个常规阻抗变换器，优化了传输线功率分配、合成器的结构；在低频端铁氧体磁芯提供足够高的感抗，而在高频端相位补偿传输线降低传输线长度对上限工作频率限制，拓宽工作频段；同轴电缆传输线取代漆包线，提高了功率容量。该功率分配、合成器克服了现有技术中所存在的缺点，具有低损耗、频带更宽、功率容量更大的特点。
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公开(公告)号：CN101280412A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710051036.2
申请日：2007-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤①：清洁基片，以铝作为靶材；步骤②：将基片送入磁控溅射机；步骤③：使用射频磁控溅射方法沉积具有压应力或者张应力的氮化铝多晶薄膜；步骤④：使用射频磁控溅射方法在步骤③所得的氮化铝多晶薄膜上沉积与该氮化铝多晶薄膜具有对应张应力或者压应力的氮化铝多晶薄膜；步骤⑤：反复交替进行步骤③和步骤④得到氮化铝压电薄膜。该方法得到的氮化铝压电薄膜具有低应力，使用寿命长，并且制备方法简单、反应步骤少、操作容易。
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公开(公告)号：CN103957021A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410205021.7
申请日：2014-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种高线性低噪声短波宽带接收机，包括射频输入滤波电路、射频开关选频组件、模式选择电路、LC低通滤波器、晶振滤波放大电路、频综电路、频综驱动电路、混频器、多级晶体滤波电路、多级放大电路；所述射频输入滤波电路、射频开关选频组件、模式选择电路依次级联，模式选择电路的输出连接LC低通滤波器滤波后接入混频器的射频输入端；所述晶振滤波放大电路、频综电路、频综驱动电路依次级联，频综驱动电路的输出接入混频器的本振输入端；混频器的中频输出连接多级滤波放大电路。本发明扫描速度快;线性更高;噪声低;中频和镜频的抑制度更高；中频输出带内无干扰信号；适合宽带应用；低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101534104A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910058789.5
申请日：2009-04-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H7/01
Abstract: 本发明公开了一种小型化超宽带电调滤波器，其特征在于：电路结构包括两个阻抗变换单元、N谐振单元、(N－1)谐振耦合单元和N组谐振控制电压单元，所述抗阻变换单元置入电路的输入端和输出端实现阻抗变换，(N－1)个谐振耦合单元串联后在两端以及相邻两个的接点上对应连接N个谐振单元，所述N个谐振控制电压单元对应连接并控制N个谐振单元实现不同谐振点。该滤波器具有体积小、超宽带连续电调、高矩形度、窄带选通等优点，广泛的应用于侦听、接收机前端等场合。
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公开(公告)号：CN103873010B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410097731.2
申请日：2014-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括衬底、空气腔、底电极层、压电层与顶电极层。该谐振器使用石墨烯作为器件的电极层，在该器件结构中无需使用支撑层，石墨烯底电极层与衬底的凹槽形成空气腔。底电极层上设置压电层，压电层上设置顶电极层。同时，使用本发明所述牺牲层制备工艺，能克服传统工艺中对高精度化学机械抛光设备的依赖，缩短研磨时间，快速得到平整的牺牲层表面。该新型压电薄膜体声波谐振器结构新颖，能够制备出高Q值，高机电耦合系数的压电薄膜体声波谐振器，可用于后续射频通信系统中滤波器、双工器以及多工器的制作，也可与不同的敏感薄膜相结合制作各种高性能传感器。
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公开(公告)号：CN101217266A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810045142.4
申请日：2008-01-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型体声波谐振器，包括衬底、压电膜层、上层金属电极层和下层金属电极层，其特征在于：还包括设置在所述衬底上的薄膜支撑层，该薄膜支撑层与所述衬底的接触面上设置有空气气隙结构；从所述薄膜支撑层、下层金属电极层、压电膜层和上层金属电极层向上依次重叠形成谐振区域。该谐振器克服了现有技术中所存在的缺点，利用表面微加工工艺和牺牲层技术，无需对硅衬底进行凹槽刻蚀工艺，无需进行化学机械抛光工艺，能极大地提高了工艺制备的可行性，很大程度上降低了生产成本，并且仍具有较高的Q值，保证了谐振器的特性。
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公开(公告)号：CN103873010A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410097731.2
申请日：2014-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括衬底、空气腔、底电极层、压电层与顶电极层。该谐振器使用石墨烯作为器件的电极层，在该器件结构中无需使用支撑层，石墨烯底电极层与衬底的凹槽形成空气腔。底电极层上设置压电层，压电层上设置顶电极层。同时，使用本发明所述牺牲层制备工艺，能克服传统工艺中对高精度化学机械抛光设备的依赖，缩短研磨时间，快速得到平整的牺牲层表面。该新型压电薄膜体声波谐振器结构新颖，能够制备出高Q值，高机电耦合系数的压电薄膜体声波谐振器，可用于后续射频通信系统中滤波器、双工器以及多工器的制作，也可与不同的敏感薄膜相结合制作各种高性能传感器。
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公开(公告)号：CN101465457B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910058141.8
申请日：2009-01-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种高功率宽带四路功率分配、合成器，其特征在于，包括一个具有功率分配/合成功能的升阻抗变换器和两个具有功率分配/合成功能的降阻抗变换器，减少两个常规阻抗变换器，优化了传输线功率分配、合成器的结构；在低频端铁氧体磁芯提供足够高的感抗，而在高频端相位补偿传输线降低传输线长度对上限工作频率限制，拓宽工作频段；同轴电缆传输线取代漆包线，提高了功率容量。该功率分配、合成器克服了现有技术中所存在的缺点，具有低损耗、频带更宽、功率容量更大的特点。
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