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公开(公告)号：CN119070760A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410857807.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稳定HBT晶体管基极电压的射频功率放大器，属于射频前端技术领域。本发明通过在偏置电路中引入二极管D1作为旁路，使其在输入功率增大时调节晶体管HBT0基极的电压，以此抑制晶体管HBT0基极电压压缩，且不影响功率放大器在小输入功率情况下的电气特性，从而提高功率放大器的线性度。
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公开(公告)号：CN114492619A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210077736.3
申请日：2022-01-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06K9/62 , G06V10/762 , G06V10/774 , G06V10/30 , G06V10/26
Abstract: 本发明涉及计算机视觉、点云分割技术领域，提供了一种基于统计和凹凸性的点云数据集构建方法及装置。目的在于将传统点云分割方法应用于深度学习数据集的构建，解决深度学习点云数据集匮乏的问题。主要方案包括，步骤1：获取目标原始点云数据，进行基于特征的滤波去噪；步骤2：第一次聚类，对点云进行超体聚类过分割，得到体素块集合；步骤3：第二次聚类，对步骤2获得的各体素块进行LCCP聚类，得到LCCP聚类集合；步骤4：第三次聚类，基于点特征直方图对LCCP聚类集合进行条件欧几里得聚类，得到最终聚类集合；步骤5：根据最终聚类集合的结果将点云进行标记，组织文件得到点云数据集。
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公开(公告)号：CN113206651A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110626625.9
申请日：2021-06-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有高机电耦合系数的兰姆波谐振器，包括从上至下依次设置的电极层、用于产生力压电效应的压电基底层和衬底层；电极层包括若干个均匀间隔设置于压电基底层上的用于声电转换的电极；压电基底层包括压电基片，压电基底层与衬底层键合；底层包括用于支撑压电基底层的衬底。本发明的机电耦合系数高达30％以上，拓宽了PIMNT材料在声学器件领域的应用，且性能远远优于常规的滤波器。
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公开(公告)号：CN110253890B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910676267.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: B29C64/386 , B33Y50/00
Abstract: 本发明属于成型加工技术领域，涉及增材制造中的工艺控制技术，具体涉及一种增材制造的复合分层切片方法。针对现有技术中3D打印的分层切片方法存在打印速度与打印精度难以兼顾的问题，本发明算法旨在不改变成型工件表面精度的前提下，将打印工件的外表面和内部采取不同的打印厚度进行加工，以提高加工速度，提升加工效率，降低成本。本方法至少会用到两种打印层厚：一种用于外表面打印，层厚较小以保证工件表面的加工精度；一种用于内部打印，层厚较大以对工件内部进行快速填充。本方法也可以用于自适应层厚加工。
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公开(公告)号：CN101694989A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910167869.4
申请日：2009-10-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于声界面波、集成MEMS开关的单片滤波器组件及其制备方法，该组件由一组或者几组相互垂直排列且成层状结构的上述声界面滤波器和分布在每组声界面滤波器周围相对应的MEMS开关集成，MEMS开关的信号输入电极、信号输出电极、接地电极与封装对应的焊盘均用引线连接，滤波器的信号输出电极通过引线连接MEMS开关的信号输入电极，滤波器的信号输入电极通过引线连接MEMS开关的信号输出电极。该滤波器组件克服了现有技术中开关与滤波器分离、体积庞大的缺点，实现了滤波器的纵向排列和滤波器与开关的集成，大幅度缩小了滤波器组件的体积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465454A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910058140.3
申请日：2009-01-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种射频小型化矩阵开关，包括金属腔、驱动控制电路、设置在金属腔内的模块化的单刀多掷开关，其特征在于，所述模块化的单刀多掷开关包括M个单刀N掷开关和N个单刀M掷开关，这两组单刀多掷开关垂直交叉连接，所述单刀N掷开关具有一个输出端口和M个连接端口，所述单刀M掷开关具有一个输入端口和N个连接端口，一个单刀N掷开关和每一个单刀M掷开关都有一条射频连接路径，一个单刀M掷开关和每一个单刀N掷开关都有一条射频连接路径，所述驱动控制电路连接每个单刀N掷开关和单刀M掷开关实现切换。该矩阵开关能克服现有技术中所存在的缺点，具有带宽、低损耗、高隔离度和高一致性的特点。
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公开(公告)号：CN110253890A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910676267.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: B29C64/386 , B33Y50/00
Abstract: 本发明属于成型加工技术领域，涉及增材制造中的工艺控制技术，具体涉及一种增材制造的复合分层切片方法。针对现有技术中3D打印的分层切片方法存在打印速度与打印精度难以兼顾的问题，本发明算法旨在不改变成型工件表面精度的前提下，将打印工件的外表面和内部采取不同的打印厚度进行加工，以提高加工速度，提升加工效率，降低成本。本方法至少会用到两种打印层厚：一种用于外表面打印，层厚较小以保证工件表面的加工精度；一种用于内部打印，层厚较大以对工件内部进行快速填充。本方法也可以用于自适应层厚加工。
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公开(公告)号：CN101465457B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910058141.8
申请日：2009-01-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种高功率宽带四路功率分配、合成器，其特征在于，包括一个具有功率分配/合成功能的升阻抗变换器和两个具有功率分配/合成功能的降阻抗变换器，减少两个常规阻抗变换器，优化了传输线功率分配、合成器的结构；在低频端铁氧体磁芯提供足够高的感抗，而在高频端相位补偿传输线降低传输线长度对上限工作频率限制，拓宽工作频段；同轴电缆传输线取代漆包线，提高了功率容量。该功率分配、合成器克服了现有技术中所存在的缺点，具有低损耗、频带更宽、功率容量更大的特点。
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公开(公告)号：CN113922783A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111157046.0
申请日：2021-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种声表面滤波器的封装结构，解决了传统技术中气密性无法达到封装要求、工艺难度较高，工序复杂的问题，其包括基板，所述基板的顶部设置有叉指换能器与叉指电极，所述基板的顶部固定设置有光刻胶侧壁，所述光刻胶侧壁的顶部固定设置有盖帽层，所述光刻胶侧壁与所述盖帽层形成空腔，所述叉指换能器、叉指电极置于所述空腔内部，实现了简化声表滤波器的封装流程，降低成本，同时保证封装的气密性的技术效果。
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公开(公告)号：CN101465628B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910058139.0
申请日：2009-01-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器，包括衬底、缓冲层、压电层和电极，其特征在于：①衬底上端面设置有平滑的凹槽和缓冲层，所述缓冲层跨越凹槽与衬底形成一具有平滑上凸边缘的空气隙并完全覆盖该空气隙，所述空气隙下顶面的高度低于衬底，具有平整的表面和平缓变化的边界；②所述缓冲层的与空气隙接触面且临近衬底的边缘为平滑外凸形状，缓冲层上设置所述压电层，电极包括底电极和顶电极，所述底电极设置在缓冲层上压电层内，所述顶电极设置在压电层的上面。该体声波谐振器结构新颖，该方法能够在衬底上制作出结构稳定、损耗小的FBAR，且无需采用CMP工艺，有利于集成于CMOS芯片中。
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