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公开(公告)号：CN106339483B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201610781795.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F16/9535 , G06F16/9536 , G06F16/9537 , G06Q50/00
Abstract: 本发明公开了一种移动社交网络中的社交活动推荐方法，包括以下步骤：S1、计算任意用户和任意社交活动之间的标签相似度；S2、计算任意用户和任意社交活动之间的地理位置偏好度；S3、计算任意用户和任意社交活动之间的好友相似度；S4、计算任意用户对任意社交活动的用户偏好；S5、计算任意一个用户与其任意一个好友之间的相似度；S6、计算任意用户对任意社交活动之间的基于协同过滤的偏好；S7、计算用户对社交活动的偏好评分；S8、根据目标用户对所有社交活动的偏好评分向目标用户推荐社交活动。本发明的社交活动推荐算法解决了基于内容的推荐造成的推荐结果机械化的局限，使得推荐的社交活动更具有针对性和准确性。
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公开(公告)号：CN109713032A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811621620.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种抗辐射半导体器件终端结构，包括第一种导电类型半导体衬底、第一种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型元胞区延伸阱、绝缘层、第一金属电极、多晶硅条，本发明能够有效抑制因辐射终端氧化层中电荷积累现象，避免器件由于终端氧化层电荷积累而发生击穿。能够改善辐射后器件终端表面电场，提高器件终端击穿电压，本发明简单可行工艺难度较低，能很好地解决辐射后终端耐压问题。
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公开(公告)号：CN106208415A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610648167.8
申请日：2016-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H02J5/005 , H04B1/0343
Abstract: 本发明公开了一种基于磁偏调制的ICPT无线携能通信一体化发射装置，属于电力电子和通信技术领域，直流电源的输出端与振荡器的供电端连接，振荡器的输出端与发射线盘的两端连接，发射线盘与谐振电容并联构成谐振回路，振荡器激励该谐振回路在发射线盘上获得正弦电流信号；电平转换模块与电流驱动器的输入端连接，电流驱动器的输出端与扼流圈的输入端连接，扼流圈的输出端与磁偏线盘的输入端连接，磁偏线盘的输出端接地，磁偏线盘和发射线盘共用一个磁性材料。本发明解决了将现有超窄带调制技术应用到ICPT无线携能通信中，能量高效传输和信息高速传输不能兼得，以及发射装置体积大，实用性受到限制的问题。
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公开(公告)号：CN118367018A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410543315.4
申请日：2024-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成3个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，有效降低器件的导通压降；正向关断时，第一MOS导通降低阴极P+电位，控制SOI LIGBT寄生二极管截止，退出电导调制。随着耗尽区扩展，第三MOS导通进一步降低阴极P+电位，第二MOS关闭使阴极N+电位升高，控制SOI LIGBT槽栅沟道的电子注入迅速降低，有效降低关断损耗，缓解Von～Eoff矛盾关系；短路状态下，随着阳极电压升高，第二MOS夹断P沟道，阴极N+电位升高，降低阴极N+电子电流，提高器件的抗短路能力。
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公开(公告)号：CN109411541A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811290760.5
申请日：2018-10-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有低比导通电阻的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的正上方及左右两侧的介质层中还设置有n个电极，n≥2，n个电极中任意两电极在第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区的方向上的投影之间有间隔，且每个电极偏置在固定不同的电位，本发明提供的横向高压器件可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118398656A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410543317.3
申请日：2024-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成双PMOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，有效降低器件的导通压降，提高器件的驱动能力；正向关断时，集成MOS结构的第一MOS导通降低阴极P+电位，控制SOI LIGBT寄生二极管截止，退出电导调制。随着耗尽区扩展，集成MOS结构的第二MOS关闭使阴极N+电位升高，控制SOI LIGBT槽栅沟道的电子注入迅速降低；短路状态下，随着阳极电压升高，集成MOS结构的第二MOS夹断P沟道，阴极N+电位升高，降低阴极N+电子电流，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力。
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公开(公告)号：CN109713032B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201811621620.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种抗辐射半导体器件终端结构，包括第一种导电类型半导体衬底、第一种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型元胞区延伸阱、绝缘层、第一金属电极、多晶硅条，本发明能够有效抑制因辐射终端氧化层中电荷积累现象，避免器件由于终端氧化层电荷积累而发生击穿。能够改善辐射后器件终端表面电场，提高器件终端击穿电压，本发明简单可行工艺难度较低，能很好地解决辐射后终端耐压问题。
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公开(公告)号：CN106208415B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610648167.8
申请日：2016-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁偏调制的ICPT无线携能通信一体化发射装置，属于电力电子和通信技术领域，直流电源的输出端与振荡器的供电端连接，振荡器的输出端与发射线盘的两端连接，发射线盘与谐振电容并联构成谐振回路，振荡器激励该谐振回路在发射线盘上获得正弦电流信号；电平转换模块与电流驱动器的输入端连接，电流驱动器的输出端与扼流圈的输入端连接，扼流圈的输出端与磁偏线盘的输入端连接，磁偏线盘的输出端接地，磁偏线盘和发射线盘共用一个磁性材料。本发明解决了将现有超窄带调制技术应用到ICPT无线携能通信中，能量高效传输和信息高速传输不能兼得，以及发射装置体积大，实用性受到限制的问题。
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公开(公告)号：CN117238967A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311418970.9
申请日：2023-10-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种新型横向氧化镓场效应晶体管。本发明通过在漂移区和阳极端同时引入第一P型氧化物和第三P型氧化物，正向导通时第三阳极P型氧化物使器件实现双极导电，第一漂移区P型氧化物可以加强双极导电作用，二者共同增大导通电流，降低导通损耗。漂移区内第一P型氧化物和氧化镓外延层起到类似超结的相互耗尽作用，调制器件横向电场分布，提升器件耐压。第二P型氧化物和漂移区形成的异质结，辅助耗尽沟道区电子以提高器件阈值电压。第一P型氧化物和第二P型氧化物共同辅助耗尽氧化镓沟道，有助于减小器件关断状态下的泄漏电流，有利于提高器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN110190121B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910456675.X
申请日：2019-05-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、栅氧化层、埋氧层、栅电极、源电极和漏电极；多个绝缘埋层覆盖第一型掺杂杂质漂移区和第二型掺杂杂质阱区的交界处；本发明提供的横向高压器件可减少瞬时光电流的产生并避免寄生效应引起器件的烧毁，以此来提高器件抗瞬时剂量率辐射的能力。
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