公开(公告)号：CN113224169B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202110493781.2

申请日：2021-05-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  魏雨夕 ,  鲁娟 ,  杨可萌 ,  魏杰 ,  蒋卓林

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且增强型器件难以兼顾低导通电阻的问题，提出一种兼具高阈值电压和低导通电阻的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用金属与氧化镓的功函数差将鳍型导电沟道夹断，从而实现关断和高耐压，获得低泄漏电流及硬雪崩击穿特性；当栅压高于阈值电压，鳍型导电沟道侧壁形成电子积累层且折叠栅结构增加沟道密度，导通电阻大大降低。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具高阈值电压和低导通电阻的优点且易于集成。

公开(公告)号：CN115312516A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211051682.X

申请日：2022-08-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  魏雨夕 ,  彭小松 ,  魏杰 ,  杨可萌 ,  郝琳瑶 ,  蒋卓林

IPC: H01L27/06

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管。栅源极电压为零时，栅源极金属与氧化镓半导体之间功函数差耗尽导电沟道，实现常关的增强型器件。在正向导通时，栅极所加电压大于阈值电压，晶体管开启；源极电压为零，源极金属与氧化镓半导体之间功函数差耗尽导电沟道，集成二极管关断。在反向续流时，所加源极电压使耗尽区变窄，集成二极管导通，具有低的开启电压；当源极电压进一步增加，沟道侧壁形成高浓度电子积累层，实现低的导通压降。相比垂直分立场效应晶体管需要与续流二极管封装成芯片或模块，本发明的横向功率器件易于集成，场效应晶体管和集成二极管工艺兼容，有利于广泛应用于功率集成电路中，减少寄生参数和模块体积。

公开(公告)号：CN115799336A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211553448.7

申请日：2022-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 魏杰 ,  彭小松 ,  魏雨夕 ,  邓鸿儒 ,  蒋卓林 ,  郝琳瑶 ,  赵凯 ,  罗小蓉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成续流肖特基二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管。本发明通过凹槽栅实现常关的增强型器件。反向续流时，肖特基二极管先于晶体管导通，实现低的开启电压和低的导通压降。正向导通和阻断时，肖特基二极管关断，不影响晶体管的开启和关断性能；且栅极场板与阳极场板优化电场分布，从而提高击穿电压。本发明的有益效果为，本发明的器件为增强型器件兼具低反向开启电压、低泄漏电流，高正向阻断电压的优点，实现场效应晶体管和续流二极管的单片工艺集成，减少功率集成系统寄生电感和体积。

公开(公告)号：CN113066871A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110317636.9

申请日：2021-03-25

Applicant: 电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 罗小蓉 ,  鲁娟 ,  魏雨夕 ,  杨可萌 ,  魏杰 ,  蒋卓林 ,  王元刚 ,  吕元杰 ,  冯志红

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有变K介质槽复合终端的氧化镓结势垒肖特基二极管(JBSD)。本发明的主要特征是新器件引入了变K介质槽复合终端，且复合终端主要包含：与氧化镓相比具有更小介电常数和更高临界击穿电场强度的凹槽形状介质层，填充在凹槽形状介质层上且介电常数更大的介质层，与阳极金属连接的倾斜场板。反向阻断时，凹槽形状介质层使器件能在较短终端长度下承受高外加电压；倾斜场板和填充介质层能吸引电位移线，从而大幅缓解有源区边界PN结的电场尖峰，提高器件耐压。相较于采用常规终端结构的氧化镓JBSD，本发明可在更短的终端长度下提高器件耐压，增强器件可靠性。

公开(公告)号：CN116153978A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310158874.9

申请日：2023-02-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  邓鸿儒 ,  彭小松 ,  蒋卓林 ,  魏雨夕 ,  魏杰

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难、难以实现增强型以及逆向导通电压大、电流小等问题，提出一种兼具高阈值电压和优良逆导功能的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用氧化镓沟道与P型氧化物半导体形成的PN异质结产生的耗尽区将鳍状氧化镓沟道夹断，从而器件实现增强型且具备高耐压、低泄漏电流等优良特性；当栅压高于阈值电压，鳍状沟道耗尽区收缩并在栅下形成电子积累层，从而器件导通。本发明的氧化镓功率器件兼具高阈值电压、低逆导电压和大逆导电流，以及高耐压、低导通电阻和易于集成的优点。

公开(公告)号：CN113257922A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110521158.3

申请日：2021-05-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  鲁娟 ,  魏雨夕 ,  魏杰 ,  蒋卓林 ,  杨可萌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管(Ga2O3JFET)。本发明的主要特征是引入能与N型氧化镓形成PN异质结的P型氧化物使Ga2O3增强型JFET得以实现，同时器件漂移区上部两侧沿纵向方向分段的P氧化物栅区及横向两侧P氧化物栅区之间的P氧化物区可使Ga2O3JFET相较常规JFET器件，正向导通时具有多沟道，反向耐压时电场分布调制，从而器件在实现增强型的同时，兼具低导通电阻、高耐压和高可靠性，进一步发挥氧化镓材料的优势。

公开(公告)号：CN113224169A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110493781.2

申请日：2021-05-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  魏雨夕 ,  鲁娟 ,  杨可萌 ,  魏杰 ,  蒋卓林

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且增强型器件难以兼顾低导通电阻的问题，提出一种兼具高阈值电压和低导通电阻的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用金属与氧化镓的功函数差将鳍型导电沟道夹断，从而实现关断和高耐压，获得低泄漏电流及硬雪崩击穿特性；当栅压高于阈值电压，鳍型导电沟道侧壁形成电子积累层且折叠栅结构增加沟道密度，导通电阻大大降低。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具高阈值电压和低导通电阻的优点且易于集成。

公开(公告)号：CN105597798A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610119840.9

申请日：2016-03-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何泓材 ,  蒋卓林 ,  王宁 ,  刘涛

IPC: B01J27/18

CPC classification number: B01J35/004 ,  B01J27/1817 ,  B01J35/0013 ,  B01J35/0073

Abstract: 本发明提供一种三相复合光催化剂及其制备方法，用于高效率处理生物难降解有机污染物。该三相复合光催化剂以凹凸棒土纤维为载体，凹凸棒土纤维表面附着有一层纳米级TiO2颗粒，再于凹凸棒土/TiO2的表面生长一层纳米级Ag3PO4颗粒；同时提供该三相复合光催化剂制备方法。本发明提供三相复合光催化剂采用凹凸棒土负载磷酸银与二氧化钛异质结，显著提高了催化效率和光催化稳定性，能重复利用；且凹凸棒土是一种自然的、低成本的非金属矿物，即本发明光催化剂生产成本低，制备工艺简单，利于工业化生产；本发明大大降低了光催化剂的生产成本的同时显著提高了光催化效率，具备极大的应用前景。

公开(公告)号：CN117238967A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311418970.9

申请日：2023-10-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李向楠 ,  魏杰 ,  郝琳瑶 ,  魏雨夕 ,  蒋卓林 ,  戴恺纬 ,  彭小松 ,  邓鸿儒 ,  赵凯 ,  罗小蓉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种新型横向氧化镓场效应晶体管。本发明通过在漂移区和阳极端同时引入第一P型氧化物和第三P型氧化物，正向导通时第三阳极P型氧化物使器件实现双极导电，第一漂移区P型氧化物可以加强双极导电作用，二者共同增大导通电流，降低导通损耗。漂移区内第一P型氧化物和氧化镓外延层起到类似超结的相互耗尽作用，调制器件横向电场分布，提升器件耐压。第二P型氧化物和漂移区形成的异质结，辅助耗尽沟道区电子以提高器件阈值电压。第一P型氧化物和第二P型氧化物共同辅助耗尽氧化镓沟道，有助于减小器件关断状态下的泄漏电流，有利于提高器件击穿电压。

公开(公告)号：CN115101583A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210894628.5

申请日：2022-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  彭小松 ,  邓鸿儒 ,  魏雨夕 ,  魏杰 ,  蒋卓林 ,  杨可萌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有斜面复合终端的氧化镓结势垒肖特基二极管(JBSD)。针对边缘电场集中的问题，本发明提出了一种兼具肖特基结、异质PN结以及斜面复合终端结构的JBSD，其斜面复合终端结构主要包含斜面处的P型氧化物半导体区、介质层和阳极金属层。正向导通时，肖特基结先于PN结开启，器件具有较小的开启电压。反向耐压时，一方面，斜面终端使耗尽层沿斜面扩展，缓解耗尽区边界的曲率效应；另一方面，P型氧化物半导体区和阳极金属层可以吸引电力线，降低肖特基接触边缘的电场尖峰，从而提高器件耐压。本发明的有益效果为实现低开启电压和高击穿电压。