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公开(公告)号：CN118367018A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410543315.4
申请日：2024-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成3个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，有效降低器件的导通压降；正向关断时，第一MOS导通降低阴极P+电位，控制SOI LIGBT寄生二极管截止，退出电导调制。随着耗尽区扩展，第三MOS导通进一步降低阴极P+电位，第二MOS关闭使阴极N+电位升高，控制SOI LIGBT槽栅沟道的电子注入迅速降低，有效降低关断损耗，缓解Von～Eoff矛盾关系；短路状态下，随着阳极电压升高，第二MOS夹断P沟道，阴极N+电位升高，降低阴极N+电子电流，提高器件的抗短路能力。
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公开(公告)号：CN119361543A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411442720.3
申请日：2024-10-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/10 , H01L23/32 , H01L23/367
Abstract: 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种旋转加压型功率二极管模块封装结构。本发明包括正极金属构件、双端带有内螺纹的绝缘材质套筒、正极金属垫片、功率二极管芯片、负极金属垫片、带有外螺纹的负极金属圆盘、塑封外壳；绝缘材质套筒旋转固定于基板凸台上，随后依次将正极金属垫片、功率二极管芯片、负极金属垫片以及带有外螺纹的负极金属圆盘装配于绝缘材质套筒内，最后将塑封外壳安装并固定于基板上，完成模块装配；通过旋转负极金属圆盘加载压力，保持组件间的良好接触；负极金属圆盘中心刻有凹槽，用于散热器定位及外接工具旋转加压，负极散热器中心刻有与凹槽匹配的凸起，用于散热器定位并防止加压结构松脱。
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公开(公告)号：CN118398656A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410543317.3
申请日：2024-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成双PMOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，有效降低器件的导通压降，提高器件的驱动能力；正向关断时，集成MOS结构的第一MOS导通降低阴极P+电位，控制SOI LIGBT寄生二极管截止，退出电导调制。随着耗尽区扩展，集成MOS结构的第二MOS关闭使阴极N+电位升高，控制SOI LIGBT槽栅沟道的电子注入迅速降低；短路状态下，随着阳极电压升高，集成MOS结构的第二MOS夹断P沟道，阴极N+电位升高，降低阴极N+电子电流，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力。
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公开(公告)号：CN119758005A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411836934.9
申请日：2024-12-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/52 , G01N29/07 , G01N29/14
Abstract: 本发明属于功率半导体监测技术领域，具体涉及一种压接封装功率模块短路失效声发射监测系统及方法。监测系统包括声波传感器阵列、模块特征参量测量单元、多通道信号采集单元、上位机；声波传感器阵列用于测量压接封装功率模块失效瞬时声信号；模块特征参量测量单元用于测量失效特征参量；多通道信号采集单元用于将接收的数据全部传输至上位机；上位机通过辨识声信号声纹信息，判断压接封装功率模块是否出现短路失效，如出现短路失效，基于各声波传感器接收失效瞬时声信号时间与失效特征参量突变时间的差值，定位失效位置。本发明具有应用场合广、非侵入式安装等特点，有助于压接封装功率模块短路失效在线监测、失效点快速定位。
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