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公开(公告)号：CN114839180A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210462445.6
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种喷雾型双组分复合表面增强拉曼基底的制备方法，属于拉曼基底制备技术领域。本发明方法将金纳米棒溶液和二氧化硅介电微球溶液分别放置于两个离心管中，通过控制喷枪口径控制两种物质的喷出速度，两者的混合物分布于加热干燥在衬底上作为SERS基底。本发明基底制作方法方便快捷、保存方法简单、检出限低且可以规模生产。
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公开(公告)号：CN113740311A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110929800.1
申请日：2021-08-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种金属‑介电材料复合探针表面增强拉曼基底及其制备方法，属于拉曼检测领域。本发明表面增强拉曼基底是通过硅烷偶联剂在酸性条件下使二氧化硅介电微球表面带正电荷，通过SH‑PEG‑COOH使金纳米棒在碱性条件下带负电荷，二氧化硅介电微球和金纳米棒通过静电吸附作用结合在一起，形成在二氧化硅介电微球表面包裹一层金纳米棒的结构。作为一种表面增强拉曼基底，该结构稳定性好、灵敏度高，可分散在水中再自然干燥在衬底上，通过浸泡对待测物进行检测，从而获得较强的SERS信号，实现对目标分子快速、高效和高灵敏度的检测。
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公开(公告)号：CN102045058B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110029937.8
申请日：2011-01-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种高压电平位移电路。针对现有的高压电平位移电路不能同时减小电路版图面积和解决电路存在输出初始状态不定的问题，本发明提出了一种高压电平位移电路，包括脉冲产生电路、脉冲整形电路、第一偏置电路、箝位电路、LDMOS管、第二偏置电路、滤波电路和信号恢复电路。相比现有的高压电平位移电路使用两个LDMOS管，本发明的电平位移电路只使用了一个LDMOS管，因而减小了电路版图面积；同时通过所述的信号恢复电路，解决了高压电平位移电路输出初始状态不定的问题，在减小版图面积的同时，实现了正确输出电平位移信号的功能。
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公开(公告)号：CN102289237A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110030086.9
申请日：2011-01-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本发明的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使得输出电压即纹波小、输出电压调节范围大。本发明的电源电路包括片内基准源单元、过压欠压逻辑单元、误差放大器单元、功率输出单元和高压JFET，其特征在于，高压JFET的栅极连接到误差放大器单元的输出端，片内基准源单元的输出端连接到误差放大器单元的一个输入端，功率输出单元的输出端连接到误差放大器单元的另一个输入端。
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公开(公告)号：CN102097939A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110052036.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 本发明公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输出运算放大器，第一乘法器，第二乘法器。本发明通过采用五个运算放大器和两个乘法器，并利用第三NMOS管进行负反馈，实现了第一NMOS管和第二NMOS管漏源两极之间的电压成比例，突破了采样技术中要求功率管和采样管的三端电位完全一致的局限，相比于传统的电流采样结构，该电路结构的灵活性更大，同时提高了采样电流精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005480A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010523557.5
申请日：2010-10-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法。高压低导通电阻LDMOS器件包括P外延、P阱区、N+阳极、N+阴极、P+阴极引出端、阳极多晶场板、阴极多晶场板、栅多晶、栅氧化层、场氧层、P衬底、N阱区、P型区。还包括位于N阱区表面的P型区和位于N阱区内部的P埋层，所述P型区与P阱区和N+阳极隔离，P型区与场氧层隔离，P型区与N阱区形成一个PN结，P埋层将N阱区分割为位于P埋层上部的第二N阱区和第一N阱区并分别与之形成PN结。本发明的有益效果是一方面提高LDMOS器件与常规中低压BCD工艺的兼容性，另一方面在相同耐压的前提下降低了LDMOS器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN114839180B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210462445.6
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种喷雾型双组分复合表面增强拉曼基底的制备方法，属于拉曼基底制备技术领域。本发明方法将金纳米棒溶液和二氧化硅介电微球溶液分别放置于两个离心管中，通过控制喷枪口径控制两种物质的喷出速度，两者的混合物分布于加热干燥在衬底上作为SERS基底。本发明基底制作方法方便快捷、保存方法简单、检出限低且可以规模生产。
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公开(公告)号：CN113740311B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110929800.1
申请日：2021-08-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种金属‑介电材料复合探针表面增强拉曼基底及其制备方法，属于拉曼检测领域。本发明表面增强拉曼基底是通过硅烷偶联剂在酸性条件下使二氧化硅介电微球表面带正电荷，通过SH‑PEG‑COOH使金纳米棒在碱性条件下带负电荷，二氧化硅介电微球和金纳米棒通过静电吸附作用结合在一起，形成在二氧化硅介电微球表面包裹一层金纳米棒的结构。作为一种表面增强拉曼基底，该结构稳定性好、灵敏度高，可分散在水中再自然干燥在衬底上，通过浸泡对待测物进行检测，从而获得较强的SERS信号，实现对目标分子快速、高效和高灵敏度的检测。
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公开(公告)号：CN115406876A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210691591.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 电子科技大学 , 四川省毒品监测技术中心(国家毒品实验室四川分中心)
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于表面增强拉曼检测的一体化钻入式探针及其应用，属于拉曼检测技术领域。该探针以电钻钻针为基体，在基体表面设置碳化硅颗粒，再在碳化硅颗粒表面设置金银混合纳米颗粒。该探针由于碳化硅颗粒与钻针和贵金属纳米颗粒之间优异的结合力，避免了钻头在钻取样品时中造成的金属拉曼基底的损失，使得探针实现了取样和拉曼检测一体化功能。
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公开(公告)号：CN102289237B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110030086.9
申请日：2011-01-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本发明的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使得输出电压即纹波小、输出电压调节范围大。本发明的电源电路包括片内基准源单元、过压欠压逻辑单元、误差放大器单元、功率输出单元和高压JFET，其特征在于，高压JFET的栅极连接到误差放大器单元的输出端，片内基准源单元的输出端连接到误差放大器单元的一个输入端，功率输出单元的输出端连接到误差放大器单元的另一个输入端。
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