公开(公告)号：CN117276332A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311116523.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李沫 ,  潘宇豪 ,  陈飞良 ,  魏亚洲 ,  张健 ,  赵海全 ,  黄瑞涵 ,  杨竣翔

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提出了一种基于异质结2DEG的场发射纳米空气沟道三极管，属于毫米波/太赫兹与半导体器件技术领域。该器件包括衬底、异质结发射极、纳米空气沟道、栅极、集电极；其中异质结发射极和集电极设置于衬底上方、且两者之间设置纳米空气沟道；异质结发射极包括从下至上依次设置的第一层、第二层、第三层，以及发射电极，其中第一层、第二层采用不同禁带宽度的材料，构成异质结，第三层为钝化层，发射电极设置于第一层的较低台面。本发明利用异质结界面的极化效应产生的2DEG，能够实现低开启电压、大发射电流、高工作频率和抗辐照等性质。

公开(公告)号：CN118539884A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410632526.5

申请日：2024-05-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李沫 ,  魏亚洲 ,  陈飞良 ,  潘宇豪 ,  张健 ,  杨帆 ,  姜昊 ,  刘洋

IPC: H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F1/02 ,  H03F1/32 ,  H03F1/56 ,  H01J21/12 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明涉及微波毫米波、太赫兹、半导体器件、以及集成电路技术领域，具体为一种基于异质结纳米空气沟道晶体管的放大器，包括依次串连的输入匹配网络电路、放大电路、以及输出匹配电路；所述放大电路包括异质结纳米空气沟道晶体管，异质结纳米空气沟道晶体管的第二半导体层上表面设有源极、栅极和漏极；源极与栅极之间、栅极与漏极之间设有钝化层；第二半导体层内设有纳米空气沟道，纳米空气沟道位于栅极与漏极之间，其一端向上延伸至钝化层上表面，另一端向下延伸至第一半导体层。利用放大电路中异质结纳米空气沟道晶体管的纳米空气沟道和异质结构，使放大器实现了低功耗和高线性度，并能在更高的截止频率下保持较低的失真和更高的工作效率。

公开(公告)号：CN118213389A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410313485.3

申请日：2024-03-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李沫 ,  杨竣翔 ,  黄瑞涵 ,  陈飞良 ,  张健 ,  潘宇豪 ,  魏亚洲 ,  赵海全 ,  樊威

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提出一种纳米空气沟道三极管及其制备方法，纳米空气沟道三极管包括衬底，衬底一端覆盖电极作为源极，在源极旁未覆盖电极的衬底处刻蚀从上表面向底面方向的凹槽，凹槽将衬底分为两部分，一部分为衬底覆盖有电极的端部，另一部分为衬底未覆盖电极的端部；在凹槽内设有与凹槽大小相适配的介质层并在介质层顶部覆盖电极，作为栅极；在衬底未覆盖电极的端部远离栅极处沉积一层介质层并在介质层顶部覆盖电极，作为漏极。本发明提出的三极管将源漏之间的载流子输运限制在更薄的衬底处，使得较小的栅极电压就能实现栅控效果，提高三极管的栅控能力；并且避免了栅极影响粒子轨迹并接收电子，造成栅漏电流。