公开(公告)号：CN118553788A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410698713.3

申请日：2024-05-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李沫 ,  陈超 ,  黄瑞涵 ,  杨竣翔 ,  陈飞良 ,  张健 ,  赵海全 ,  周宇婷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种垂直结构纳米空气沟道三极管及其制备方法。该空气沟道三极管包括自下而上依次堆叠设置的漏极层/栅极层、第一牺牲层、源极层、第二牺牲层、以及栅极层/漏极层；其中，漏极层尺寸＞源极层尺寸＞第一牺牲层尺寸＞栅极层尺寸＞第二牺牲层尺寸，以使漏极层与源极层之间、源极层与栅极层之间形成面内纳米空气沟道；各层的中心在竖直方向对齐，所述源极层和漏极层上表面均覆盖一层电极层。通过对栅极施加电压调控源极层中的载流子分布，以此来变相调控源极功函数，使其具有变相调控源极功函数的作用。同时通过栅极电压调控源极内的载流子分布，限制源极层向漏极层的电子发射，实现饱和特性。

公开(公告)号：CN117276332A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311116523.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李沫 ,  潘宇豪 ,  陈飞良 ,  魏亚洲 ,  张健 ,  赵海全 ,  黄瑞涵 ,  杨竣翔

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提出了一种基于异质结2DEG的场发射纳米空气沟道三极管，属于毫米波/太赫兹与半导体器件技术领域。该器件包括衬底、异质结发射极、纳米空气沟道、栅极、集电极；其中异质结发射极和集电极设置于衬底上方、且两者之间设置纳米空气沟道；异质结发射极包括从下至上依次设置的第一层、第二层、第三层，以及发射电极，其中第一层、第二层采用不同禁带宽度的材料，构成异质结，第三层为钝化层，发射电极设置于第一层的较低台面。本发明利用异质结界面的极化效应产生的2DEG，能够实现低开启电压、大发射电流、高工作频率和抗辐照等性质。

公开(公告)号：CN118213389A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410313485.3

申请日：2024-03-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李沫 ,  杨竣翔 ,  黄瑞涵 ,  陈飞良 ,  张健 ,  潘宇豪 ,  魏亚洲 ,  赵海全 ,  樊威

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提出一种纳米空气沟道三极管及其制备方法，纳米空气沟道三极管包括衬底，衬底一端覆盖电极作为源极，在源极旁未覆盖电极的衬底处刻蚀从上表面向底面方向的凹槽，凹槽将衬底分为两部分，一部分为衬底覆盖有电极的端部，另一部分为衬底未覆盖电极的端部；在凹槽内设有与凹槽大小相适配的介质层并在介质层顶部覆盖电极，作为栅极；在衬底未覆盖电极的端部远离栅极处沉积一层介质层并在介质层顶部覆盖电极，作为漏极。本发明提出的三极管将源漏之间的载流子输运限制在更薄的衬底处，使得较小的栅极电压就能实现栅控效果，提高三极管的栅控能力；并且避免了栅极影响粒子轨迹并接收电子，造成栅漏电流。