公开(公告)号：CN106796925A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580053294.7

申请日：2015-07-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 宫川健志 ,  纪元德 ,  广津留秀树

IPC: H01L23/36 ,  B22D19/00

Abstract: 本发明提供与其他散热部件的密合性高的铝‑碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝‑碳化硅质复合体及其制造方法，该铝‑碳化硅质复合体具有包含碳化硅和铝合金的平板状的复合化部，和在复合化部的两板面设置的包含铝合金的铝层，在一个板面安装电路基板，另一板面用作散热面，其特征在于，散热面侧的复合化部的板面为凸型的翘曲的形状，散热面侧的铝层为凸型的翘曲的形状，相对的外周面的短边中央的厚度的平均(Ax)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ax/B)为0.91≤Ax/B≤1.00，相对的外周面的长边中央的厚度的平均(Ay)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ay/B)为0.94≤Ay/B≤1.00。

公开(公告)号：CN106796925B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201580053294.7

申请日：2015-07-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 宫川健志 ,  纪元德 ,  广津留秀树

IPC: H01L23/36 ,  B22D19/00

Abstract: 本发明提供与其他散热部件的密合性高的铝‑碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝‑碳化硅质复合体及其制造方法，该铝‑碳化硅质复合体具有包含碳化硅和铝合金的平板状的复合化部，和在复合化部的两板面设置的包含铝合金的铝层，在一个板面安装电路基板，另一板面用作散热面，其特征在于，散热面侧的复合化部的板面为凸型的翘曲的形状，散热面侧的铝层为凸型的翘曲的形状，相对的外周面的短边中央的厚度的平均(Ax)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ax/B)为0.91≤Ax/B≤1.00，相对的外周面的长边中央的厚度的平均(Ay)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ay/B)为0.94≤Ay/B≤1.00。

公开(公告)号：CN107892331A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710910831.6

申请日：2017-09-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 江本秀幸 ,  纪元德 ,  市川真義

IPC: C01G45/00 ,  C09K11/61

CPC classification number: C09K11/616 ,  C09K11/617 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/85

Abstract: 本发明提供掺锰复合氟化物荧光体原料用的氟化锰酸钾及使用其的掺锰复合氟化物荧光体的制造方法，提供能够制造高荧光特性和高可靠性的掺锰复合氟化物荧光体的、作为前述掺锰复合氟化物荧光体的原料用的氟化锰酸钾。一种作为制造掺锰复合氟化物荧光体的原料用的氟化锰酸钾，其特征在于：在通过X射线光电子能谱分析得到的锰的轨道电子的结合能谱图中，从结合能值在643.0eV以上且644.0eV以下的范围内的最大信号强度值减去背景值而得到的信号强度值A、与从结合能值在645.0eV以上且646.0eV以下的范围内的最大信号强度值减去背景值而得到的信号强度值B之比，即(信号强度值A/信号强度值B)的值超过0且为0.9以下。

公开(公告)号：CN106415822B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201580027795.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 宫川健志 ,  纪元德 ,  石原庸介

IPC: H01L23/10 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C26/00 ,  C22C30/02 ,  C22C30/06 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40

Abstract: 本发明提供低廉且散热性优异的半导体封装体。根据本发明，提供一种半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝‑金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层使用包含平均粒径为1nm以上并且100μm以下的氧化银微粒或者有机覆膜银微粒的复合材料而形成。

公开(公告)号：CN106415822A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027795.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 宫川健志 ,  纪元德 ,  石原庸介

IPC: H01L23/10 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C26/00 ,  C22C30/02 ,  C22C30/06 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40

CPC classification number: H01L23/3737 ,  B22F1/0011 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/02 ,  B22F7/064 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/25 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3602 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C26/00 ,  C22C30/02 ,  C22C30/06 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/047 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/40 ,  H01L2924/16195

Abstract: 本发明提供低廉且散热性优异的半导体封装体。根据本发明，提供一种半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝-金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层使用包含平均粒径为1nm以上并且100μm以下的氧化银微粒或者有机覆膜银微粒的复合材料而形成。

公开(公告)号：CN105981162A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007131.5

申请日：2015-02-02

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 纪元德 ,  广津留秀树 ,  宫川健志

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3738 ,  B23P15/26 ,  B23P2700/10 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: [课题]廉价地提供一种散热零件，其具有导热性，同时比重小，且热膨胀系数接近陶瓷基板，并且具有翘曲从而能够与散热零件等密合性良好地接合。[解决方法]一种碳化硅复合体以及使用该复合体而形成的散热零件，该碳化硅复合体是一种以铝为主要成分的金属含浸于多孔碳化硅成形体而形成的板状复合体，具有相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量为250μm以下的翘曲，使用了上述板状复合体的功率模块的翘曲量具有250μm以下的翘曲。