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公开(公告)号：CN116184764A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211673735.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体光刻工艺，涉及半导体制造技术领域，该半导体光刻工艺包括以下步骤：步骤一：衬底的准备；步骤二：涂抹光刻胶；步骤三：软烘干处理；步骤四：曝光及显影；步骤五：硬烘干处理。本发明通过机械清洁的方式能够进行微粒污染的清洁，并通过等离子体剥离的方式能够对衬底上的无机物和聚合物沉积物进行清洁，使得对衬底的清洁效果更好，并通过DELO‑MONOPOX单组分环氧胶粘合促进剂的涂抹，在提高衬底附着能力的同时，还具备着导热，绝缘的作用，之后通过甩胶法进行光刻胶溶液的涂抹，并在经过软烘干后，对半导体进行曝光和显影，最后通过硬烘干的处理，能够完成对半导体的光刻加工，使得半导体的加工质量有所提高，方便了半导体的使用。
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公开(公告)号：CN105097161B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510488579.5
申请日：2015-08-11
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种作为磁标记材料的二氧化硅包覆四氧化三铁纳米团簇及其制备方法，它首先以六水氯化铁和三水乙酸钠为原料，乙二醇作为溶剂，通过对溶剂热法进行改进，制备出分散性良好、磁响应高、超顺磁性的Fe3O4NCs；再以该团簇为前驱体，无水乙醇和去离子水为分散剂，正硅酸乙酯、浓氨水为原料，常温水浴条件下，利用超声辅助合成二氧化硅包覆四氧化三铁纳米团簇。本发明方法得到的二氧化硅包覆四氧化三铁纳米团簇复合材料表现出良好的磁性能，二氧化硅壳层厚度均匀保持在10‑20nm，表面带有大量硅羟基，具有良好的生物安全性和相容性，满足了磁性微纳传感器对于磁标记材料的要求。
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公开(公告)号：CN120044082A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510211336.0
申请日：2025-02-25
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
IPC: G01N27/12 , B01L3/00 , B05D7/24 , B05D1/00 , B82Y40/00 , B82Y15/00 , C09K11/88 , C09K11/66 , C09K11/68 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了一种微涡流量子点气敏传感器及其制备方法和应用，属于传感器技术领域，本发明通过在硅纳米柱阵列顶部设计球形包覆结构，并结合量子点敏感层，开发了一种微涡流量子点气敏传感器，该气敏传感器是一种基于微涡流效应的新型气敏装置。在气体流动过程中，气敏传感器中的柱‑球组合微结构能够形成微涡流场，延长气体分子在量子点敏感层表面的驻留时间，增强分子捕获能力。量子点层通过尺寸调控和表面修饰优化了对目标气体的选择性响应特性，可在室温下高效检测NO2、H2S、VOCs等气体。本发明提供的微涡流量子点气敏传感器在灵敏度、响应时间、功耗和环境适应性等方面均表现出显著优势，为突破传统气体传感器的性能瓶颈提供了一种全新的设计思路，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118829346A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410807125.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种界面调控人工反铁磁耦合场结构的制备工艺，涉及自旋电子学与信息技术领域。人工反铁磁的结构由下向上分别为：基底、缓冲层、种子层、下磁性层、下界面磁性层、非磁性层、上界面磁性层、上磁性层和保护层。本发明的方法是人工反铁磁结构中，改变非磁性层/磁性层界面磁性层中的原子比，通过原子的比例来调节费米能级的位置，使导带与价带之间的带隙最小，电子易于跃迁，磁性层中自旋极化导电电子数增多，诱导间隔层的传导电子自旋极化，层间交换耦合强度增强，导致反铁磁耦合场增强。
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公开(公告)号：CN118524734A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410621349.0
申请日：2024-05-20
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
IPC: H10K59/121 , H10K59/12 , H10K59/123 , H10K59/131 , H10K71/16
Abstract: 本发明公开了一种刚性红光显示装置以及制备方法，属于半导体薄膜集成电路制造与显示技术领域。红光显示装置包括：4T1C显示电路和显示单元。其中，显示电路由数据读写控制单元、数据存储单元、显示驱动单元、显示控制单元四个部分组成，显示驱动单元由背靠背并联的T2和T3构成，由T4构成的显示控制单元采用双栅结构设计；显示单元采用的器件结构为：空穴注入层/空穴传输层/发光1区/PEDOT:PSS‑SiNPs/发光2区/电子传输层/电子注入层/复合阴极。本发明的刚性红光显示装置显示单元中插入SiNPs材料实现高效红光发射，并通过优异驱动能力和低功耗的显示电路来驱动红光显示装置降低对电源容量的依赖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115602411B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211090517.5
申请日：2022-09-07
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
Abstract: 本发明公开了交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，由下而上依次包括：衬底、缓冲层、种子层、人工合成反铁磁层和覆盖层；其中，人工合成反铁磁层由两个具有垂直磁各向异性的复合磁性层中间夹一层非磁性的隔离层构成。本发明通过调节中间层隔离厚度以及磁性层参数，就可以改变两铁磁层之间的反铁磁耦合强度，从而实现对p‑SV交换偏置场的连续调控。本发明涉及磁性薄膜材料技术领域，本发明决现有技术中p‑SV交换偏置场不易连续调控的问题。
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公开(公告)号：CN117705891A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311699011.9
申请日：2023-12-12
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种MEMS工艺的NOx基气体传感器测试方法，涉及传感器技术领域。包括以下测试方法：S1、模拟实验：根据气体传感器的要求和应用场景，利用计算机辅助设计软件对传感器进行模拟实验，制定模拟实验场景，模拟内容主要有：针对MEMS气体传感器的性能测试、不同环境下的温湿度测试、对传感器的输出进行校准和线性化测试、传感器稳定性测试；S2、芯片制备：采用MEMS技术制备传感器芯片，包括气体敏感层、微加工结构和传感电极。通过结合了微纳加工技术和传感器原理，实现了高度集成化、小型化和高灵敏度的气体传感器，与传统的基于化学反应的气体传感器相比，本发明具有灵敏度高、响应时间短、成本低的优势，适用于多种应用场景。
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公开(公告)号：CN114884489A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210523549.3
申请日：2022-05-13
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
IPC: H03K5/125
Abstract: 本发明公开了一种宽电源电压范围输入电平检测电路，包括NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、PMOS管P0、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、电阻R1和电阻R2。本发明的一种宽电源电压范围输入电平检测电路通过N1管来调节N2和P0的开启电流，从而实现输出端的电平识别翻转。并且电路能拓展VDD电源电压的范围，使VDD电源电压达到更低的电源电压要求，本发明的数字输入翻转点为通过加入电阻R1和电阻R2调节后级PMOS管P3与NMOS管N3的栅电容充放电平衡，实现最终电路输出波形的脉宽占空比传输稳定。
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公开(公告)号：CN119153479B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411299251.4
申请日：2024-09-18
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器及其制备方法，属于图像传感器及其制备技术领域，该图像传感器，由下至上依次包括：读出电路层；金属下电极层；宽光谱量子点材料电子传输层，所述量子点材料为P型量子点薄膜；具有微纳陷光结构的宽光谱量子点材料空穴传输层，所述量子点材料为N型量子点薄膜；透明上电极层；支撑层；以及光偏振层。采用PbS量子点或HgTe量子点材料可以实现宽光谱响应，且CMOS工艺兼容性好；光偏振层分光效果优异，光利用率高；同时像素采用红、绿、蓝、红外四种亚像素组成，利用红、绿、蓝三亚像素获得物质的颜色信息，利用红外亚像素获得物质的材料信息，从而获得高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器。
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公开(公告)号：CN119153479A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411299251.4
申请日：2024-09-18
Applicant: 甘肃省科学院传感技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器及其制备方法，属于图像传感器及其制备技术领域，该图像传感器，由下至上依次包括：读出电路层；金属下电极层；宽光谱量子点材料电子传输层，所述量子点材料为P型量子点薄膜；具有微纳陷光结构的宽光谱量子点材料空穴传输层，所述量子点材料为N型量子点薄膜；透明上电极层；支撑层；以及光偏振层。采用PbS量子点或HgTe量子点材料可以实现宽光谱响应，且CMOS工艺兼容性好；光偏振层分光效果优异，光利用率高；同时像素采用红、绿、蓝、红外四种亚像素组成，利用红、绿、蓝三亚像素获得物质的颜色信息，利用红外亚像素获得物质的材料信息，从而获得高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器。
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