用于生产多晶硅的方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105579395B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201480052456.0

    申请日:2014-08-27

    CPC classification number: C01B33/035

    Abstract: 本发明涉及一种用于生产多晶硅的方法,包括将包括含硅组分和氢气的反应气体引入包括底板、固定至底板的上反应器部和至少一个通过直接通电加热的支撑体的反应器,多晶硅在所述支撑体上沉积,从而获得至少一个多晶硅棒,其中,在沉积结束之后,在至少一个多晶硅棒的卸除过程中,将防护罩或防护壁侧向置于反应器周围。

    用于生产多晶硅的方法

    公开(公告)号:CN102862987B

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201210232310.7

    申请日:2012-07-05

    CPC classification number: C23C16/24 C01B33/03 C01B33/035 C01B33/10778

    Abstract: 本发明提供了用于生产多晶硅的方法,包括a)在沉积反应器中借助于包含含有三氯硅烷的含硅组分和氢的反应气体,将多晶硅沉积在细丝上,其中,基于氢,含硅组分的摩尔饱和度为至少25%;b)将来自沉积的废气供给到用于冷却废气的装置,i)其中,将由于冷却而冷凝且包含四氯化硅的废气组分引导到能够蒸馏纯化冷凝物的装置中,ii)将冷却过程中未冷凝的组分引导到吸附或解吸单元中;c)获得已通过吸附纯化并包含氢的未冷凝组分的第一流;以及d)在吸附单元的再生期间,借助于解吸和利用吹洗气体吹洗,获得未冷凝组分的第二流,第二流包含四氯化硅并优选被供给到用于将四氯化硅转化成三氯硅烷的转化器。

    钢材表面的处理
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103906858B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201280053435.1

    申请日:2012-10-17

    Abstract: 通式RnZpSiX(4-n-p)的化合物在用于处理钢材表面中的应用,其中X选自由H、OH、卤素、烷氧基(C1-C3)、酰氧基(C1-C3)和NR1R2组成的组;其中R1和R2各自选自由H、甲基和乙基组成的组;其中R选自由直链和/或支化的C1-C6烷基自由基、直链和/或支化的C1-C6烯基自由基或可选地被O、S间断的C1-C6芳基自由基组成的组,其中Z为(可选地支化和/或不饱和的)C1-C6-亚烷基-自由基-结合的有机官能团,其选自由卤素、可选取代的氨基基团、酰胺、醛、烷基羰基、羧基、羟基、巯基、氰基、烷氧基、烷氧基羰基、磺酸、膦酸、磷酸酯、酰氧基、甲基酰氧基、缩水甘油氧基、环氧基和乙烯基基团组成的组,其中n=0、1或2并且p=1、2或3且3≥(n+p)≥1,其中通式(1)的所述化合物含有不多于20个碳原子。

    用于生产多晶硅的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105579395A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201480052456.0

    申请日:2014-08-27

    CPC classification number: C01B33/035

    Abstract: 本发明涉及一种用于生产多晶硅的方法,包括将包括含硅组分和氢气的反应气体引入包括底板、固定至底板的上反应器部和至少一个通过直接通电加热的支撑体的反应器,多晶硅在所述支撑体上沉积,从而获得至少一个多晶硅棒,其中,在沉积结束之后,在至少一个多晶硅棒的卸除过程中,将防护罩或防护壁侧向置于反应器周围。

    钢材表面的处理
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103906858A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201280053435.1

    申请日:2012-10-17

    Abstract: 通式RnZpSiX(4-n-p)的化合物在用于处理钢材表面中的应用,其中X选自由H、OH、卤素、烷氧基(C1-C3)、酰氧基(C1-C3)和NR1R2组成的组;其中R1和R2各自选自由H、甲基和乙基组成的组;其中R选自由直链和/或支化的C1-C6烷基自由基、直链和/或支化的C1-C6烯基自由基或可选地被O、S间断的C1-C6芳基自由基组成的组,其中Z为(可选地支化和/或不饱和的)C1-C6-亚烷基-自由基-结合的有机官能团,其选自由卤素、可选取代的氨基基团、酰胺、醛、烷基羰基、羧基、羟基、巯基、氰基、烷氧基、烷氧基羰基、磺酸、膦酸、磷酸酯、酰氧基、甲基酰氧基、缩水甘油氧基、环氧基和乙烯基基团组成的组,其中n=0、1或2并且p=1、2或3且3≥(n+p)≥1,其中通式(1)的所述化合物含有不多于20个碳原子。

    用于生产多晶硅的方法

    公开(公告)号:CN102862987A

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201210232310.7

    申请日:2012-07-05

    CPC classification number: C23C16/24 C01B33/03 C01B33/035 C01B33/10778

    Abstract: 本发明提供了用于生产多晶硅的方法,包括a)在沉积反应器中借助于包含含有三氯硅烷的含硅组分和氢的反应气体,将多晶硅沉积在细丝上,其中,基于氢,含硅组分的摩尔饱和度为至少25%;b)将来自沉积的废气供给到用于冷却废气的装置,i)其中,将由于冷却而冷凝且包含四氯化硅的废气组分引导到能够蒸馏纯化冷凝物的装置中,ii)将冷却过程中未冷凝的组分引导到吸附或解吸单元中;c)获得已通过吸附纯化并包含氢的未冷凝组分的第一流;以及d)在吸附单元的再生期间,借助于解吸和利用吹洗气体吹洗,获得未冷凝组分的第二流,第二流包含四氯化硅并优选被供给到用于将四氯化硅转化成三氯硅烷的转化器。

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