公开(公告)号：CN103515373B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201310241432.7

申请日：2013-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 二井手亮 ,  山田伸一 ,  一之濑八州治 ,  野泽俊哉

IPC: H01L25/16 ,  H01L29/866 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L24/32 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L29/866 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件简化了制造过程。该器件包括保护性芯片，其具有表面齐纳二极管以保护具有形成于其中的LED的发光芯片免于浪涌电压。该保护性芯片安装在通过金属线电耦合至阳极电极的布线之上，该阳极电极耦合至p型半导体区域，其导电类型与芯片的半导体衬底的导电类型相同。保护性芯片的阳极电极在没有PN结的情况下电耦合至芯片的后表面，从而即使后表面与布线相接触，齐纳二极管的电气特性也不会出现问题。这使得无需在芯片后表面形成绝缘膜以防止后表面和布线之间的接触，因此简化了制造过程。

公开(公告)号：CN106558578A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847571.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 野泽俊哉 ,  近藤庆太郎 ,  菅原祐介 ,  上村省一 ,  前田正利 ,  白井康裕

IPC: H01L25/16 ,  H02P29/00

CPC classification number: H02P29/68 ,  H02M7/48 ,  H02P29/027 ,  H01L25/16 ,  H02P29/00

Abstract: 根据本发明可容易地检测半导体功率模块的错误安装。根据本发明的一种半导体功率模块(9)包括：状态信号产生单元(90)，配置成检测该半导体功率模块(9)内的状态以及产生并输出表示所检测到的状态的状态信号；识别信息存储单元(91)，配置成预先存储用于识别所述半导体功率模块(9)的识别信息以及输出表示所述识别信息的识别信号；以及切换单元(92)，配置成选择所述状态信号产生单元(90)输出的状态信号和所述识别信息存储单元(91)输出的识别信号中的一者以及将所选择的信号输出至所述半导体功率模块(9)的外部。

公开(公告)号：CN106558578B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201610847571.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 野泽俊哉 ,  近藤庆太郎 ,  菅原祐介 ,  上村省一 ,  前田正利 ,  白井康裕

IPC: H01L25/16 ,  H02P29/00

Abstract: 根据本发明可容易地检测半导体功率模块的错误安装。根据本发明的一种半导体功率模块(9)包括：状态信号产生单元(90)，配置成检测该半导体功率模块(9)内的状态以及产生并输出表示所检测到的状态的状态信号；识别信息存储单元(91)，配置成预先存储用于识别所述半导体功率模块(9)的识别信息以及输出表示所述识别信息的识别信号；以及切换单元(92)，配置成选择所述状态信号产生单元(90)输出的状态信号和所述识别信息存储单元(91)输出的识别信号中的一者以及将所选择的信号输出至所述半导体功率模块(9)的外部。

公开(公告)号：CN103515373A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310241432.7

申请日：2013-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 二井手亮 ,  山田伸一 ,  一之濑八州治 ,  野泽俊哉

IPC: H01L25/16 ,  H01L29/866 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L24/32 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L29/866 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件简化了制造过程。该器件包括保护性芯片，其具有表面齐纳二极管以保护具有形成于其中的LED的发光芯片免于浪涌电压。该保护性芯片安装在通过金属线电耦合至阳极电极的布线之上，该阳极电极耦合至p型半导体区域，其导电类型与芯片的半导体衬底的导电类型相同。保护性芯片的阳极电极在没有PN结的情况下电耦合至芯片的后表面，从而即使后表面与布线相接触，齐纳二极管的电气特性也不会出现问题。这使得无需在芯片后表面形成绝缘膜以防止后表面和布线之间的接触，因此简化了制造过程。