公开(公告)号：CN106558578B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201610847571.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 野泽俊哉 ,  近藤庆太郎 ,  菅原祐介 ,  上村省一 ,  前田正利 ,  白井康裕

IPC: H01L25/16 ,  H02P29/00

Abstract: 根据本发明可容易地检测半导体功率模块的错误安装。根据本发明的一种半导体功率模块(9)包括：状态信号产生单元(90)，配置成检测该半导体功率模块(9)内的状态以及产生并输出表示所检测到的状态的状态信号；识别信息存储单元(91)，配置成预先存储用于识别所述半导体功率模块(9)的识别信息以及输出表示所述识别信息的识别信号；以及切换单元(92)，配置成选择所述状态信号产生单元(90)输出的状态信号和所述识别信息存储单元(91)输出的识别信号中的一者以及将所选择的信号输出至所述半导体功率模块(9)的外部。

公开(公告)号：CN105374877B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201510493423.6

申请日：2015-08-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安孙子雄哉 ,  市村昭雄 ,  五十岚俊昭 ,  白井康裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。

公开(公告)号：CN106558578A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847571.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 野泽俊哉 ,  近藤庆太郎 ,  菅原祐介 ,  上村省一 ,  前田正利 ,  白井康裕

IPC: H01L25/16 ,  H02P29/00

CPC classification number: H02P29/68 ,  H02M7/48 ,  H02P29/027 ,  H01L25/16 ,  H02P29/00

Abstract: 根据本发明可容易地检测半导体功率模块的错误安装。根据本发明的一种半导体功率模块(9)包括：状态信号产生单元(90)，配置成检测该半导体功率模块(9)内的状态以及产生并输出表示所检测到的状态的状态信号；识别信息存储单元(91)，配置成预先存储用于识别所述半导体功率模块(9)的识别信息以及输出表示所述识别信息的识别信号；以及切换单元(92)，配置成选择所述状态信号产生单元(90)输出的状态信号和所述识别信息存储单元(91)输出的识别信号中的一者以及将所选择的信号输出至所述半导体功率模块(9)的外部。

公开(公告)号：CN105374877A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510493423.6

申请日：2015-08-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安孙子雄哉 ,  市村昭雄 ,  五十岚俊昭 ,  白井康裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。

公开(公告)号：CN205081123U

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201520606029.4

申请日：2015-08-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安孙子雄哉 ,  市村昭雄 ,  五十岚俊昭 ,  白井康裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。