公开(公告)号：CN104078480A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410300535.0

申请日：2009-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板东晃司 ,  三角和幸 ,  秋山龙彦 ,  和泉直生 ,  山崎晓

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49503 ,  G11C11/16 ,  H01L23/552 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/228 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。

公开(公告)号：CN101771068B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN200910258845.X

申请日：2009-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板东晃司 ,  三角和幸 ,  秋山龙彦 ,  和泉直生 ,  山崎晓

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L23/49503 ,  G11C11/16 ,  H01L23/552 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/228 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。