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公开(公告)号：CN115642172A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210707839.3
申请日：2022-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/66 , H01L21/336
Abstract: 在处于晶圆状态的半导体设备中，元件区域和划线区域被限定在半导体衬底的一个主表面中。在元件区域中，垂直MOS晶体管形成为半导体元件。在划线区域中，限定了n型列区域和p型列区域。n型列电阻器形成在n型列区域中。p型列电阻器形成在p型列区域中。
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