公开(公告)号：CN107408533B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201580078318.4

申请日：2015-06-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前田敏 ,  森下泰之 ,  田中正德

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: 半导体器件具备：与第一焊盘连接的第一输入输出电路；相对于第一输入输出电路配置在沿着芯片端部所构成的一条边的方向上且与第二焊盘连接的第二输入输出电路；和配置在第一输入输出电路及第二输入输出电路的外侧的芯片端部附近的ESD保护电路。ESD保护电路具备电阻、电容、反相器和N沟道晶体管。

公开(公告)号：CN107408533A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580078318.4

申请日：2015-06-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前田敏 ,  森下泰之 ,  田中正德

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0296 ,  H01L21/822 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/04

Abstract: 半导体器件具备：与第一焊盘连接的第一输入输出电路；相对于第一输入输出电路配置在沿着芯片端部所构成的一条边的方向上且与第二焊盘连接的第二输入输出电路；和配置在第一输入输出电路及第二输入输出电路的外侧的芯片端部附近的ESD保护电路。ESD保护电路具备电阻、电容、反相器和N沟道晶体管。

公开(公告)号：CN108447861A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810064433.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 鹈泽义仁 ,  森下泰之 ,  田中正德

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/027 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0277 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/04 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括MOS晶体管和二极管，所述MOS晶体管被耦合在两个端子之间并放电由静电的产生而引起流动的电流，所述二极管被耦合在MOS晶体管的背栅极和端子之一之间，并具有与形成在MOS晶体管的背栅极和源极之间的寄生二极管的极性相反的极性。

公开(公告)号：CN108447861B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201810064433.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 鹈泽义仁 ,  森下泰之 ,  田中正德

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括MOS晶体管和二极管，所述MOS晶体管被耦合在两个端子之间并放电由静电的产生而引起流动的电流，所述二极管被耦合在MOS晶体管的背栅极和端子之一之间，并具有与形成在MOS晶体管的背栅极和源极之间的寄生二极管的极性相反的极性。

公开(公告)号：CN107452734A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710330480.1

申请日：2017-05-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 田中正德

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H02H9/046 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0285

Abstract: 本申请涉及半导体器件。提供了能够以简单配置保持ESD抗扰性的半导体器件。半导体器件包括电源布线、接地布线、耦合在电源布线和接地布线之间的输入电路、输入焊盘、设置在接地布线和输入焊盘之间的多个第一二极管以及设置在输入焊盘和电源布线之间的第二二极管，所述输入焊盘与输入电路耦合并且可以对其输入比提供给接地布线的电压低的负电压。第二二极管的反向偏压击穿电压大于第一二极管中的每一个的反向偏压击穿电压。