公开(公告)号：CN108447861B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201810064433.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 鹈泽义仁 ,  森下泰之 ,  田中正德

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括MOS晶体管和二极管，所述MOS晶体管被耦合在两个端子之间并放电由静电的产生而引起流动的电流，所述二极管被耦合在MOS晶体管的背栅极和端子之一之间，并具有与形成在MOS晶体管的背栅极和源极之间的寄生二极管的极性相反的极性。

公开(公告)号：CN108447861A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810064433.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 鹈泽义仁 ,  森下泰之 ,  田中正德

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/027 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0277 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/04 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括MOS晶体管和二极管，所述MOS晶体管被耦合在两个端子之间并放电由静电的产生而引起流动的电流，所述二极管被耦合在MOS晶体管的背栅极和端子之一之间，并具有与形成在MOS晶体管的背栅极和源极之间的寄生二极管的极性相反的极性。