公开(公告)号：CN102394629B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110257859.7

申请日：2000-12-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 菅野雄介 ,  水野弘之 ,  阪田健 ,  渡部隆夫

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/018521

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：第1电路，将第1电源电压作为动作电压，输出具有第1电源电压振幅的第1信号；第2电路，将比上述第1电源电压高的第2电源电压作为动作电压；以及电平变换电路，将上述第1电源电压和上述第2电源电压作为动作电压，将上述第1信号变换成与上述第2电源电压对应的信号振幅后向上述第2电路输出，其特征在于：上述电平变换电路包括：具有与外部输入信号同步进行锁存动作的主锁存器部分和次锁存器部分的锁存器电路。

公开(公告)号：CN101834597B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201010163012.8

申请日：2000-12-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 菅野雄介 ,  水野弘之 ,  阪田健 ,  渡部隆夫

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/018521

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具备电平变换电路，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。

公开(公告)号：CN101388245B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810171360.2

申请日：2004-08-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 菅野雄介 ,  水野弘之 ,  入江直彦

IPC: G11C11/417 ,  G11C5/06 ,  H03K3/356

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，目的在于在电源关断时保持在此之前的信息的低功耗模式中能进行高速的复归。作为其一种方法，可考虑使用现有的数据保持型的触发器，但为此而产生增大单元等的面积的额外消耗，这是不理想的。解决手段是用比一般的电源干线细的布线形成电源关断时的数据保持用的电源线。较为理想的是，将数据保持电路的电源作为信号线来处理，在自动配置布线时进行布线。为此，在单元中预先与通常的信号线同样地设置上述数据保持电路用电源用的端子来设计。本发明的效果是，在单元中不需要多余的电源线的布局，可谋求节省面积，同时可利用已有的自动配置布线工具来设计。

公开(公告)号：CN102394629A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110257859.7

申请日：2000-12-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 菅野雄介 ,  水野弘之 ,  阪田健 ,  渡部隆夫

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/018521

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：第1电路，将第1电源电压作为动作电压，输出具有第1电源电压振幅的第1信号；第2电路，将比上述第1电源电压高的第2电源电压作为动作电压；以及电平变换电路，将上述第1电源电压和上述第2电源电压作为动作电压，将上述第1信号变换成与上述第2电源电压对应的信号振幅后向上述第2电路输出，其特征在于：上述电平变换电路包括：具有与外部输入信号同步进行锁存动作的主锁存器部分和次锁存器部分的锁存器电路。