公开(公告)号：CN103703557A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201180072617.9

申请日：2011-07-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柴田健 ,  柳谷优太

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1104 ,  G11C5/14 ,  G11C11/412 ,  G11C11/417 ,  G11C11/418 ,  G11C11/419 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/42356 ,  G11C11/413

Abstract: 提供一种具有高自由度的布局的半导体器件及该半导体器件的制造方法。在该半导体器件中，在第1部分（AR1）中，沿X轴方向交替地邻接地配置有多个p型阱（PW）和多个n型阱（NW），在沿Y轴方向夹着该AR1的一侧配置有相对于该多个PW的公共的供电区域（ARP2），在另一侧配置有相对于该多个NW的公共的供电区域（ARN2）。例如，在相对于PW的供电区域（ARP2）内形成有在X轴方向上具有细长形状的p+型的供电用扩散层（P+（DFE））。在AR1中，配置有跨着PW、NW的边界且沿X轴方向延伸的多个栅极层（GT）。由此形成多个MIS晶体管。

公开(公告)号：CN105870064B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610373447.2

申请日：2011-07-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柴田健 ,  柳谷优太

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

Abstract: 本发明提供一种具有高自由度的布局的半导体器件。在该半导体器件中，在第1部分(AR1)中，沿X轴方向交替地邻接地配置有多个p型阱(PW)和多个n型阱(NW)，在沿Y轴方向夹着该AR1的一侧配置有相对于该多个PW的公共的供电区域(ARP2)，在另一侧配置有相对于该多个NW的公共的供电区域(ARN2)。例如，在相对于PW的供电区域(ARP2)内形成有在X轴方向上具有细长形状的p+型的供电用扩散层(P+(DFE))。在AR1中，配置有跨着PW、NW的边界且沿X轴方向延伸的多个栅极层(GT)。由此形成多个MIS晶体管。

公开(公告)号：CN105870064A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610373447.2

申请日：2011-07-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柴田健 ,  柳谷优太

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明提供一种具有高自由度的布局的半导体器件。在该半导体器件中，在第1部分(AR1)中，沿X轴方向交替地邻接地配置有多个p型阱(PW)和多个n型阱(NW)，在沿Y轴方向夹着该AR1的一侧配置有相对于该多个PW的公共的供电区域(ARP2)，在另一侧配置有相对于该多个NW的公共的供电区域(ARN2)。例如，在相对于PW的供电区域(ARP2)内形成有在X轴方向上具有细长形状的p+型的供电用扩散层(P+(DFE))。在AR1中，配置有跨着PW、NW的边界且沿X轴方向延伸的多个栅极层(GT)。由此形成多个MIS晶体管。

公开(公告)号：CN103703557B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201180072617.9

申请日：2011-07-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柴田健 ,  柳谷优太

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1104 ,  G11C5/14 ,  G11C11/412 ,  G11C11/417 ,  G11C11/418 ,  G11C11/419 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/42356

Abstract: 提供一种具有高自由度的布局的半导体器件及该半导体器件的制造方法。在该半导体器件中，在第1部分（AR1）中，沿X轴方向交替地邻接地配置有多个p型阱（PW）和多个n型阱（NW），在沿Y轴方向夹着该AR1的一侧配置有相对于该多个PW的公共的供电区域（ARP2），在另一侧配置有相对于该多个NW的公共的供电区域（ARN2）。例如，在相对于PW的供电区域（ARP2）内形成有在X轴方向上具有细长形状的p+型的供电用扩散层（P+（DFE））。在AR1中，配置有跨着PW、NW的边界且沿X轴方向延伸的多个栅极层（GT）。由此形成多个MIS晶体管。