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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116266535A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211613840.6

申请日：2022-12-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 林志超 , 大形公士 , 高桥幸雄 , 今井朋弘 , 吉田哲也

IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，栅电极经由栅极绝缘膜被形成在沟槽内部。在半导体衬底上形成的栅极绝缘膜被去除。绝缘膜被形成在半导体衬底上。p型基极区被形成在半导体衬底中。n型发射极区被形成在基极区中。对半导体衬底执行氢退火工艺。基极区与发射极区之间的边界位于比在沟槽的侧表面与栅极绝缘膜之间形成的绝缘膜深的位置。

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