公开(公告)号：CN103765574A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201180073006.6

申请日：2011-08-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 富田和朗 ,  山田圭一

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/585 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体装置（SD）中，在下部电极（LEL）上介有电介体膜（DEC），而形成有平板状的上部电极（UEL）。由下部电极（LEL）、电介体膜（DEC）以及上部电极（UEL）构成MIM电容器（MCA）。在其之间不介有保护环，且都隔开相同的间隔（D1）配置有相互相邻的一个上部电极（UEL）和其他上部电极（UEL）。隔开与间隔（D1）相同的间隔配置有位于最外周的上部电极（UEL）与位于其外侧的保护环（GR）。

公开(公告)号：CN103765574B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201180073006.6

申请日：2011-08-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 富田和朗 ,  山田圭一

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/585 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体装置（SD）中，在下部电极（LEL）上介有电介体膜（DEC），而形成有平板状的上部电极（UEL）。由下部电极（LEL）、电介体膜（DEC）以及上部电极（UEL）构成MIM电容器（MCA）。在其之间不介有保护环，且都隔开相同的间隔（D1）配置有相互相邻的一个上部电极（UEL）和其他上部电极（UEL）。隔开与间隔（D1）相同的间隔配置有位于最外周的上部电极（UEL）与位于其外侧的保护环（GR）。