公开(公告)号：CN105374797A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510476953.X

申请日：2015-08-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小仓卓 ,  宇佐美达矢 ,  儿玉哲 ,  上野秀一郎 ,  伊藤聪 ,  伊藤孝政

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 设置在互连层中的导体被允许具有低电阻。在衬底上方设置绝缘体膜，绝缘体膜由SiO(1-x)Nx(其中在XRD分析结果中x>0.5)构成。在绝缘体膜上方设置互连，互连包括第一层和第二层。第一层包括TiN、TaN、WN以及RuN中的至少一个。第二层被设置在第一层上方，并且由例如W的具有低于第一层的电阻的材料形成。

公开(公告)号：CN104934423A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510121868.1

申请日：2015-03-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 坂本美里 ,  加藤芳健 ,  山本阳一 ,  笠井仁司 ,  伊藤聪

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3212 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/60 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明涉及一种半导体集成电路器件及其制作方法。本发明改进了电容元件的电特性。提供了一种电容元件，该电容元件在DRAM单元中构成并且具有下电极、形成在下电极上方的电容绝缘体膜、形成在电容绝缘体膜上方的上电极。上电极具有以下结构：从该电极的电容绝缘体膜侧，依次堆叠第一上电极、第二上电极和第三上电极。第三上电极是可包含杂质的钨膜。在第一上电极和第三上电极之间，插入第二上电极，第二上电极是用于防止第三上电极中的可能的杂质扩散到电容绝缘体膜中的阻挡膜。