公开(公告)号：CN102280473A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110161130.X

申请日：2011-06-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井胁孝之 ,  伊藤孝政 ,  清水香奈

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/94 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。下电极包括在表层上具有2nm或更小厚度的含金属氧化物层。含金属氧化物层通过氧化下电极的表面而形成。电介质膜包括在块体状态下在室温下出现的第一相和在块体状态下在比第一相的温度更高的温度下出现的第二相。第二相具有比第一相更高的相对电容率。

公开(公告)号：CN105374797A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510476953.X

申请日：2015-08-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小仓卓 ,  宇佐美达矢 ,  儿玉哲 ,  上野秀一郎 ,  伊藤聪 ,  伊藤孝政

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 设置在互连层中的导体被允许具有低电阻。在衬底上方设置绝缘体膜，绝缘体膜由SiO(1-x)Nx(其中在XRD分析结果中x>0.5)构成。在绝缘体膜上方设置互连，互连包括第一层和第二层。第一层包括TiN、TaN、WN以及RuN中的至少一个。第二层被设置在第一层上方，并且由例如W的具有低于第一层的电阻的材料形成。

公开(公告)号：CN102280473B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110161130.X

申请日：2011-06-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井胁孝之 ,  伊藤孝政 ,  清水香奈

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/94 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。下电极包括在表层上具有2nm或更小厚度的含金属氧化物层。含金属氧化物层通过氧化下电极的表面而形成。电介质膜包括在块体状态下在室温下出现的第一相和在块体状态下在比第一相的温度更高的温度下出现的第二相。第二相具有比第一相更高的相对电容率。