公开(公告)号：CN102280473A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110161130.X

申请日：2011-06-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井胁孝之 ,  伊藤孝政 ,  清水香奈

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/94 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。下电极包括在表层上具有2nm或更小厚度的含金属氧化物层。含金属氧化物层通过氧化下电极的表面而形成。电介质膜包括在块体状态下在室温下出现的第一相和在块体状态下在比第一相的温度更高的温度下出现的第二相。第二相具有比第一相更高的相对电容率。

公开(公告)号：CN102280473B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110161130.X

申请日：2011-06-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井胁孝之 ,  伊藤孝政 ,  清水香奈

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/94 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。下电极包括在表层上具有2nm或更小厚度的含金属氧化物层。含金属氧化物层通过氧化下电极的表面而形成。电介质膜包括在块体状态下在室温下出现的第一相和在块体状态下在比第一相的温度更高的温度下出现的第二相。第二相具有比第一相更高的相对电容率。