公开(公告)号：CN105374797A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510476953.X

申请日：2015-08-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小仓卓 ,  宇佐美达矢 ,  儿玉哲 ,  上野秀一郎 ,  伊藤聪 ,  伊藤孝政

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 设置在互连层中的导体被允许具有低电阻。在衬底上方设置绝缘体膜，绝缘体膜由SiO(1-x)Nx(其中在XRD分析结果中x>0.5)构成。在绝缘体膜上方设置互连，互连包括第一层和第二层。第一层包括TiN、TaN、WN以及RuN中的至少一个。第二层被设置在第一层上方，并且由例如W的具有低于第一层的电阻的材料形成。