公开(公告)号：CN101569101B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200780048263.8

申请日：2007-12-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 伊藤清男 ,  山冈雅直

IPC: H03K19/0175 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种CMOS电路和半导体器件，在包括当使栅极和源极为相等电压时在漏极与源极之间实质上流过亚阈值电流的MOST(M)的输出级电路中，在非激活时，对该MOST(M)的栅极施加电压以使该MOST(M)的栅极和源极之间为逆偏压。即在MOST(M)为p沟道型时，对栅极施加比p型的源极高的电压，在MOST(M)为n沟道型时，对栅极施加比n型的源极低的电压。在激活时根据输入电压保持该逆偏压状态或控制为正偏压状态。从而能够实现即使阈值电压较小也能进行漏电流较小、以高速且较小的电压振幅进行工作的CMOS电路及半导体器件。

公开(公告)号：CN1819059B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200610006409.X

申请日：2006-01-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 黒土健三 ,  伊藤清男 ,  高浦则克 ,  长田健一

IPC: G11C11/4197 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069

Abstract: 提供一种半导体集成电路装置，即使是增加写入次数也可以获得高可靠性。其构成为，在由第1电极(155)和第2电极(154)夹着信息存储部的存储单元中进行电流从第1电极(155)流向第2电极(154)的动作，并进行反方向的电流从第2电极(154)流向第1电极(155)的动作。由于第1脉冲(171)而产生组成偏离，但通过施加第2脉冲(172)可以消除组成的偏离，使组成恢复到原来的状态。