公开(公告)号：CN109148574B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201810673213.9

申请日：2018-06-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 上田岳洋 ,  冈本康宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置的特性得到改善。一种半导体装置，包括：缓冲层、沟道层和阻挡层的顺序堆叠，并且包括：包括形成在堆叠之上的第四氮化物半导体层的台面部分，以及形成在台面部分的两侧并包括第四氮化物半导体层的薄膜部分的侧部部分。2DEG的产生在台面部分下方被抑制，而在侧部部分下方未被抑制。这样，在台面部分的端部设置禁用2DEG抑制效应的侧部部分，由此从侧部部分的端部到栅极电极的距离增加，使得能够抑制由通过在栅极绝缘膜和台面部分之间形成的不需要的沟道的电流路径而导致的泄漏。

公开(公告)号：CN115732499A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210990570.4

申请日：2022-08-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 上田岳洋

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/82

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。本发明抑制了制造成本的增加并且降低了开关噪声。一种场效应晶体管具有嵌入在半导体衬底的上表面中的沟槽中的栅极电极、形成在半导体衬底中的源极区、以及形成在半导体衬底的下表面上的漏极区，该场效应晶体管被提供有：形成在半导体衬底上并且电连接到栅极电极的栅极布线、形成在半导体衬底上的栅极焊盘、连接在栅极焊盘与栅极布线之间并且被配置为在场效应晶体管导通时起作用的第一电阻器、连接在栅极焊盘与栅极布线之间并且被配置为在场效应晶体管关断时起作用的第二电阻器、以及被包括在栅极焊盘与栅极布线之间的第一电阻器或第二电阻器中的整流二极管。

公开(公告)号：CN109148574A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810673213.9

申请日：2018-06-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 上田岳洋 ,  冈本康宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置的特性得到改善。一种半导体装置，包括：缓冲层、沟道层和阻挡层的顺序堆叠，并且包括：包括形成在堆叠之上的第四氮化物半导体层的台面部分，以及形成在台面部分的两侧并包括第四氮化物半导体层的薄膜部分的侧部部分。2DEG的产生在台面部分下方被抑制，而在侧部部分下方未被抑制。这样，在台面部分的端部设置禁用2DEG抑制效应的侧部部分，由此从侧部部分的端部到栅极电极的距离增加，使得能够抑制由通过在栅极绝缘膜和台面部分之间形成的不需要的沟道的电流路径而导致的泄漏。