-
-
公开(公告)号：CN1146016C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN98109362.0
申请日：1998-05-29
申请人： 琳得科株式会社
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/67092 , Y10T156/1057 , Y10T156/108 , Y10T156/1343 , Y10T156/1734
摘要： 在一种将一保护膜贴敷到一半导体晶片上的装置和方法中，一半导体晶片被置于一平台的顶部，通过一朝平台偏置的压轮将保护膜压在晶片上，移动平台以将保护膜贴敷在晶片上，一布置在压轮上游的张紧轮沿保护膜进给方向的相反方向对保护膜施加一张紧力，该张紧轮的张紧力首先在开始贴敷保护膜时被设定在一相对较大的值以使保护膜处于一拉紧状态，而后在贴敷保护膜过程中该张紧力被设定为一个相对较小的值以防部分还未被贴敷的保护膜与晶片发生接触，之后，在将保护膜贴敷在晶片上后，用一切割刀片切割保护膜以使其与半导体晶片的形状相吻合，切割过程如下，先沿Y方向移动切割刀片以从定位平面部分的尖角部分C1切割至尖角部分C2，然后转动平台并同时移动切割装置和平台使切割刀片的切割方向与半导体晶片周边部的切线方向对齐，之后转动平台沿半导体晶片的周边部切割保护膜。
-
公开(公告)号：CN100495680C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580033758.4
申请日：2005-06-29
申请人： 琳得科株式会社
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/6838
摘要： 本发明提供一种非接触型吸附保持装置，其是，通过使板状部件上除了边缘部分之外的部分(主要部分)相对于吸附台以浮起的非接触状态确实地吸附保持，从而可以确实保持该板状部件的面不受损伤。本发明所述的非接触型吸附保持装置(1)的特征是，在吸附台(2)上配置通过空气(气体)的喷出可以产生负压的伯努力吸附机构(10)，下周缘部载置在上述吸附台(2)上的晶片(板状部件)(W)除了其周缘部之外的部分相对于吸附台(2)呈浮起的状态，用上述伯努力吸附机构(10)保持晶片(W)，使其对于吸附台(2)保持非接触的状态。另外，设置加压机构，其是用来对着吸附保持在吸附台(2)上的晶片(W)的下面中央部向上方加压使得该板状部件大致保持为平面的机构。
-
公开(公告)号：CN101213648A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680024440.4
申请日：2006-06-26
申请人： 琳得科株式会社
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 一种将粘接片(S)粘贴到半导体晶片(W)的上面时所使用的工作台(13)，该工作台(13)由外侧工作台(51)和内侧工作台(52)所构成。外侧工作台(51)和内侧工作台(52)，被设置成可分别通过单轴机器人(54、56)升降，同时，内侧工作台(52)被设置成在让外侧工作台(51)升降时，能够同时升降。
-
公开(公告)号：CN1652298A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510052572.5
申请日：1998-05-29
申请人： 琳得科株式会社
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/67092 , Y10T156/1057 , Y10T156/108 , Y10T156/1343 , Y10T156/1734
摘要： 本发明一种切割半导体晶片保护膜的方法，其中将具有周边部分的半导体晶片置于一平台上，以将一保护膜贴敷在所述半导体晶片的一个表面上，然后，用一个切割刃切割该保护膜使其与所述半导体晶片的周边部分形状相吻合，该方法包括如下步骤：将所述切割刃与所述半导体晶体的侧面成倾斜；以及使所述平台和所述切割刃之一旋转，以沿着所述周边部分切割所述保护膜，使得所述保护膜不会突出所述半导体晶片的边缘。本发明还提供一种切割半导体晶片保护膜的装置。
-
公开(公告)号：CN1515464A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03107748.X
申请日：1998-05-29
申请人： 琳得科株式会社
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/67092 , Y10T156/1057 , Y10T156/108 , Y10T156/1343 , Y10T156/1734
摘要： 在一种将一保护膜贴敷到一半导体晶片上的装置和方法中，一半导体晶片装置于一平台的顶部，通过一朝平台偏置的压轮将保护膜压在晶片上，移动平台以将保护膜贴敷在晶片上，一布置在压轮上游的张紧轮沿保护膜进给方向的相反方向对保护膜施加一张紧力，该张紧轮的张紧力首先在开始贴敷保护膜时被设定在一相对较大的值以使保护膜处于一拉紧状态，而后在贴敷保掮墓这程中该张紧力被设定为一个相对较小失真到防部分还未被贴敷的保护膜与晶片发生接触，之后，在将保护膜贴敷在晶片上后，用一切割刀片切割保护膜以使基与半导体晶片的形状相吻合。
-
公开(公告)号：CN1089946C
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN98114924.3
申请日：1998-06-19
申请人： 琳得科株式会社
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67132 , Y10S156/942 , Y10T156/11 , Y10T156/1179 , Y10T156/1978
摘要： 在使用胶粘带移去贴敷到一个半导体晶片上的一层保护薄片的设备和方法中，利用加热工具将一种热敏胶粘带以热压方式粘合到该保护薄片的一个边缘部分上，在此之后一个切割刀片将该胶粘薄片切成一个规定的长度，然后一个胶带剥离头夹紧该切开的胶粒带，并在沿拉动该胶粘带的方向移动，以便自该半导体晶片上分离该薄片，然后将分离的薄片与该胶粘带一起放入一个清理盒中。
-
公开(公告)号：CN101064239A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710100926.8
申请日：2007-04-28
申请人： 琳得科株式会社
发明人： 栗田刚
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/301 , H01L21/78 , B26D1/00 , B26D5/00 , B26D3/10
摘要： 一种片材切割方法，其中，在将所述片材(S)粘到半导体晶片(W)后，根据半导体晶片(W)的形状，通过刀片(12)切割具有从半导体晶片(W)的外围伸出的尺寸的片材(S)。在这种切割方法种，以使刀片(S)不从半导体晶片(W)伸出而将刀片(12B)的轨线预先设置为正则轨线。当执行切割操作时，在远离正则轨线起始点(P)，将刀片(12)的刀刃(12B)插入片材(S)。在靠近正则轨线上的点的过程中，将刀片(12)的姿态调整为预定的前束角(α1)、外倾角(α2)、后倾角(α3)。
-
公开(公告)号：CN1208946A
公开(公告)日：1999-02-24
申请号：CN98109362.0
申请日：1998-05-29
申请人： 琳得科株式会社
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/67092 , Y10T156/1057 , Y10T156/108 , Y10T156/1343 , Y10T156/1734
摘要： 一半导体晶片于平台顶,一偏置于平台的压轮将保护膜压于晶片,移动平台将膜贴于晶片,压轮上游的张紧轮与膜进给方向反向对膜施张力,该力在开始贴膜时设为较大,使膜处于拉紧状态,在贴膜过程中将力设为较小,以防部分未贴的膜与晶片接触,贴到晶片后、用刀片切割膜使其与晶片形状吻合,先沿Y向移动刀片从定位平面尖角部分C1切至尖角部分C2,后转动平台并移动切割装置和平台,使刀片切向与晶片周边切线对齐,转动平台沿晶片周边切割膜。
-
公开(公告)号：CN101064239B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710100926.8
申请日：2007-04-28
申请人： 琳得科株式会社
发明人： 栗田刚
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/301 , H01L21/78 , B26D1/00 , B26D5/00 , B26D3/10
摘要： 一种片材切割方法，其中，在将所述片材(S)粘到半导体晶片(W)后，根据半导体晶片(W)的形状，通过刀片(12)切割具有从半导体晶片(W)的外围伸出的尺寸的片材(S)。在这种切割方法种，以使刀片(S)不从半导体晶片(W)伸出而将刀片(12B)的轨线预先设置为正则轨线。当执行切割操作时，在远离正则轨线起始点(P)，将刀片(12)的刀刃(12B)插入片材(S)。在靠近正则轨线上的点的过程中，将刀片(12)的姿态调整为预定的前束角(α1)、外倾角(α2)、后倾角(α3)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.02 秒)
