公开(公告)号：CN108494394B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201810660099.6

申请日：2018-06-25

Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司

Inventor： 杨秋平

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明公开一种低噪声且抗高地弹噪声的输出驱动电路及方法，该电路分为预驱动模块、PMOS驱动模块和NMOS驱动模块。所述PMOS驱动模块与所述预驱动模块连接于所述PMOS输入节点，所述NMOS驱动模块与所述预驱动模块连接于所述NMOS输入节点，使得在所述PMOS输入节点或所述NMOS输入节点输入动态信号时通过动态调节所述输出驱动电路的输出驱动电阻来降低地弹噪声；在所述PMOS输入节点或所述NMOS输入节点输入静态信号时通过提高输出驱动电阻增强抗高地弹噪声效应。相对于现有技术，本发明通过动态调整所述输出驱动电路的输出驱动电阻，降低地弹噪声，同时通过提高静态驱动时的输出电阻，提高抗高地弹噪声效应。

公开(公告)号：CN108462492B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201810723833.9

申请日：2018-07-04

Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司

Inventor： 杨秋平

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46

Abstract: 本发明公开一种SAR_ADC系统失调电压的校正电路及校正方法，该校正电路包括PGA模块、输入控制模块、编码校正控制模块和差分比较器模块；其中，输入控制模块，与所述PGA模块相连接，用于控制校正信号源输入端的信号输出至所述PGA模块；差分比较器模块，用于通过调整第一可调电容和第二可调电容的大小以校正SAR_ADC系统的失调电压，并更新输出端得到的比较判断结果；编码校正控制模块，用于根据所述差分比较器模块输出的比较判断结果，通过调整所述第一可调电容和所述第二可调电容的电容量对应的互补编码信号，直到所述差分比较器模块的输出端在高低电平之间连续翻转两次才停止校正过程。整体电路结构实现简单，校正精度高。

公开(公告)号：CN108922571B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201810867814.3

申请日：2018-08-02

Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司

Inventor： 杨秋平

IPC: G11C11/409

Abstract: 本发明一种DDR内存的读数据信号处理电路和读数据处理方法，该读数据信号处理电路包括采样接收模块和脉宽测试模块；当数字控制信号TD[n‑1:0]对应的编码数值对应于数据脉冲选择信号DQS的周期，采样接收模块与脉宽测试模块连接，根据数字控制信号TD[n‑1:0]对数据脉冲选择信号DQS额外延迟数据脉冲选择信号DQS的周期的四分之一，使得数据脉冲选择信号DQS采样数据信号DQ时可获得最大的时间采样窗口。相对现有技术，本发明技术方案由数字编码控制处理，可实现即时工作。

公开(公告)号：CN108494371B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201810725305.7

申请日：2018-07-04

Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司

Inventor： 杨秋平

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开一种放大器输入失调电压的自动校正电路及其校正方法，所述自动校正电路先通过比较器自身失调电压校正来完成辅助校正，再对放大器内部的MOS管输入级校正电路中MOS管的宽长比进行调整，从而实现整个放大器的输入失调电压的校正，相对于现有技术，本发明对放大器的差分输入级进行修改，使得输入差分MOS管对的等效宽长比可以由数字控制码值所控制，而不是通过补偿放大器的输出电压数值方式来纠正放大器的输入级的失调电压，也不需要一个不断调整的模拟电压就完成对全差分放大器失调电压的校正，当校正结束后可保留所获得的相应数字控制码值以提高后续放大器工作的精度，而停止数字校正控制电路的辅助校正，节省功耗。