公开(公告)号：CN102770973A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080064247.X

申请日：2010-12-17

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 梁秀美 ,  卢星奉 ,  宋锡铉

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 根据本发明的背面场型异质结太阳能电池包含第一导电型的晶体硅基板，设置在所述基板的上层中的所述第一导电型的半导体层，设置在所述基板的正面上的防反射膜，设置在所述基板的背面上的本征层，在所述本征层上重复交替布置的所述第一导电型的非晶半导体层和第二导电型的非晶半导体层，以及第一导电型电极和第二导电型电极，所述第一导电型电极和所述第二导电型电极分别设置在所述第一导电型的所述非晶半导体层上以及所述第二导电型的所述非晶半导体层上。

公开(公告)号：CN102763227A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080064209.4

申请日：2010-12-17

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 梁秀美 ,  卢星奉 ,  宋锡铉

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种背面场异质结太阳能电池及其制造方法。根据本发明的背面场型异质结太阳能电池包括第一导电型的晶体硅基板、依次层置在所述基板的正面上的本征层和所述第一导电型的非晶硅层、在所述第二导电型的非晶硅上层叠的防反射膜、所述第一导电型的结区域和所述第二导电型的结区域，以及第一导电型电极和第二导电型电极，从所述基板的背面形成所述第一导电型的结区域和所述第二导电型的结区域，直至进入到所述基板内部达到预先设定的深度，所述第一导电型电极和所述第二导电型电极分别设置在所述第一导电型的所述结区域和所述第二导电型的所述结区域上；其中所述第一导电型电极和所述第二导电型电极交替布置。

公开(公告)号：CN102549770A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080042949.8

申请日：2010-08-13

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 李相燮 ,  宋锡铉 ,  姜吉周 ,  朴俊映 ,  申宗秀

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于太阳能电池的断接的沟槽线，所述沟槽线将形成在基板的上部的半导体层与形成在所述基板的侧部的半导体层有效断接，并且改善断接的可靠性。根据本发明的用于太阳能电池的断接的沟槽线将形成在太阳能电池的基板的上部的半导体层与形成在太阳能电池的基板的侧部的半导体层电性断开，并且所述沟槽线包括多条单元沟槽线，所述多条单元沟槽线在太阳能电池的基板的上表面上彼此交叉。所述单元沟槽线的交叉点位于所述单元沟槽线上，并且自所述单元沟槽线的起点或终点往内隔开预定距离。