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公开(公告)号：CN100334735C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN03809827.X
申请日：2003-04-25
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/1633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种即使切断电源也能保持导通或断开状态，能降低在导通状态下的电阻，实现集成化，并且能够再编程的固体电解质开关元件及使用其的FPGA、存储元件及其制造方法。固体电解质开关元件(10、10′、20、20′)，其特征在于具有：用绝缘层来覆盖表面的基片(11)、布置在基片(11)上的第1布线层(13)、布置在第1布线层(13)上的离子供给层(17)、设置在离子供给层(17)上的固体电解质层(16)、布置成对第1布线层(13)、离子供给层(17)和固体电解质层(16)进行覆盖，并具有导通孔的层间绝缘层(12)、通过层间绝缘层(12)的导通孔而布置成与固体电解质层(16)相接触的对置电极层(15)、以及布置成对对置电极层(15)进行覆盖状态的第2布线层(14)。能够提供利用离子供给层(17)和对置电极层(15)之间所加的阈值电压来任意设定导通状态和断开状态，是非挥发性，而且导通状态电阻小的开关元件。并且，因为本发明的开关元件结构简单，微细，所以，与现有的开关元件相比能够大幅度地提高微细化。若把本发明的开关元件使用于FPGA(30)的开关元件，则能够提供能够再编程式而且动作速度快的FPGA(30)。并且，若把本发明的开关元件使用于存储元件的存储媒体中，则能够提供写入和读出速度快的非挥发性存储元件(50)。
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公开(公告)号：CN100448049C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN02818779.2
申请日：2002-09-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。
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公开(公告)号：CN1559090A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02818779.2
申请日：2002-09-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。
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公开(公告)号：CN1650419A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809827.X
申请日：2003-04-25
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L27/04 , H01L27/10 , H03K19/173 , G11C17/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/1633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种即使切断电源也能保持导通或断开状态，能降低在导通状态下的电阻，实现集成化，并且能够再编程的固体电解质开关元件及使用其的FPGA、存储元件及其制造方法。固体电解质开关元件(10、10′、20、20′)，其特征在于具有：用绝缘层来覆盖表面的基片(11)、布置在基片(11)上的第1布线层(13)、布置在第1布线层(13)上的离子供给层(17)、设置在离子供给层(17)上的固体电解质层(16)、布置成对第1布线层(13)、离子供给层(17)和固体电解质层(16)进行覆盖，并具有导通孔的层间绝缘层(12)、通过层间绝缘层(12)的导通孔而布置成与固体电解质层(16)相接触的对置电极层(15)、以及布置成对对置电极层(15)进行覆盖状态的第2布线层(14)。能够提供利用离子供给层(17)和对置电极层(15)之间所加的阈值电压来任意设定导通状态和断开状态，是非挥发性，而且导通状态电阻小的开关元件。并且，因为本发明的开关元件结构简单，微细，所以，与现有的开关元件相比能够大幅度地提高微细化。若把本发明的开关元件使用于FPGA(30)的开关元件，则能够提供能够再编程式而且动作速度快的FPGA(30)。并且，若把本发明的开关元件使用于存储元件的存储媒体中，则能够提供写入和读出速度快的非挥发性存储元件(50)。
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