公开(公告)号：CN1559090A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02818779.2

申请日：2002-09-24

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  日本电气株式会社

Inventor： 阪本利司 ,  青野正和 ,  长谷川刚 ,  中山知信 ,  寺部一弥 ,  川浦久雄 ,  杉林直彦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。

公开(公告)号：CN100448049C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN02818779.2

申请日：2002-09-24

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  日本电气株式会社

Inventor： 阪本利司 ,  青野正和 ,  长谷川刚 ,  中山知信 ,  寺部一弥 ,  川浦久雄 ,  杉林直彦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/02

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。