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公开(公告)号：CN102057463B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200980121625.0
申请日：2009-06-09
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/76 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/8258 , C30B25/02 , C30B29/36 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L21/8213
Abstract: 为了提供可以得到结晶性良好的氮化合物半导体层的氮化合物半导体基板的制造方法，进行如下工序：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)的工序；将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与上述埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留的工序；以及，再使氮化合物半导体层(15)在表面的单晶SiC上外延生长的工序。为了提供可以得到结晶性良好的SiC层的单晶SiC基板的制造方法，进行如下操作：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)，在将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留。
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公开(公告)号：CN102822395B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180015386.8
申请日：2011-03-14
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/0237 , H01L21/02447 , H01L21/02494 , H01L21/02529 , H01L21/02614 , H01L21/02661 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供了一种单晶3C-SiC基板的制造方法，能够大幅度减少在外延生长过程中所产生的表面缺陷，且能够在简化后工序的同时，确保作为半导体器件的质量。本方法是通过在基础基板上外延生长形成单晶3C-SiC层的单晶3C-SiC基板的制造方法，进行第一生长阶段和第二生长阶段，在该第一生长阶段中，以成为由平坦性较高的表面和散布在该表面中的表面微孔构成的表面状态的方式来形成所述单晶3C-SiC层，在该第二生长阶段中，在脱离速率控制的区域中以掩埋表面的所述表面微孔的方式使在所述第一生长阶段中所获得的单晶3C-SiC层进一步外延生长。
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公开(公告)号：CN102822395A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015386.8
申请日：2011-03-14
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/0237 , H01L21/02447 , H01L21/02494 , H01L21/02529 , H01L21/02614 , H01L21/02661 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供了一种单晶3C-SiC基板的制造方法，能够大幅度减少在外延生长过程中所产生的表面缺陷，且能够在简化后工序的同时，确保作为半导体器件的质量。本方法是通过在基础基板上外延生长形成单晶3C-SiC层的单晶3C-SiC基板的制造方法，进行第一生长阶段和第二生长阶段，在该第一生长阶段中，以成为由平坦性较高的表面和散布在该表面中的表面微孔构成的表面状态的方式来形成所述单晶3C-SiC层，在该第二生长阶段中，在脱离速率控制的区域中以掩埋表面的所述表面微孔的方式使在所述第一生长阶段中所获得的单晶3C-SiC层进一步外延生长。
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公开(公告)号：CN102057463A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121625.0
申请日：2009-06-09
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/76 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/8258 , C30B25/02 , C30B29/36 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L21/8213
Abstract: 为了提供可以得到结晶性良好的氮化合物半导体层的氮化合物半导体基板的制造方法，进行如下工序：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)的工序；将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与上述埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留的工序；以及，再使氮化合物半导体层(15)在表面的单晶SiC上外延生长的工序。为了提供可以得到结晶性良好的SiC层的单晶SiC基板的制造方法，进行如下操作：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)，在将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，在使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留。
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