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公开(公告)号：CN112599498B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010649904.2
申请日：2020-07-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498 , H10B80/00 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 包括层叠的半导体芯片的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装可包括：芯片层叠物，其包括在垂直方向上层叠的多个半导体芯片；多个垂直互连器，各个垂直互连器具有分别连接到所述多个半导体芯片的第一端，并且在所述垂直方向上延伸；模制层，其覆盖芯片层叠物和垂直互连器，同时暴露垂直互连器的第二端；多个着陆焊盘，其形成在模制层的一个表面上方以分别与垂直互连器的第二端接触，其中，多个着陆焊盘是导电的并且分别与垂直互连器的第一端交叠；以及封装再分布层，其通过着陆焊盘电连接到垂直互连器。
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公开(公告)号：CN111613601B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010106595.4
申请日：2020-02-21
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/64 , H10B80/00
Abstract: 包括桥接晶片的半导体封装件。一种半导体封装件包括外部再分配线(RDL)结构、设置在外部RDL结构上的第一半导体芯片、层叠在第一半导体芯片上的层叠模块以及层叠在外部RDL结构上的桥接晶片。层叠模块的一部分从第一半导体芯片的侧表面横向突出。桥接晶片支撑层叠模块的突出部。层叠模块包括内部RDL结构、设置在内部RDL结构上的第二半导体芯片、设置在内部RDL结构上的电容器晶片以及内部密封剂。电容器晶片用作第二半导体芯片的去耦电容器。
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公开(公告)号：CN114864544A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110629630.5
申请日：2021-06-07
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 本公开提供包括竖直互连器的半导体封装。所述半导体封装可以包括：至少一个半导体芯片，其布置成使得多个芯片焊盘所在的有源表面面对重分布导电层；多个竖直互连器，每个竖直互联器的一端与多个芯片焊盘中的相应芯片焊盘连接，在竖直方向上朝重分布导电层延伸；成型层，其覆盖半导体芯片和竖直互连器，同时暴露每个竖直互连器的不与芯片焊盘连接的另一端；多个着陆焊盘，其布置在成型层上，并且每个着陆焊盘均与每个竖直互连器的另一端连接；重分布绝缘层，重分布绝缘层覆盖成型层，具有统一暴露多个着陆焊盘的开口；以及重分布导电层，其在成型层和重分布绝缘层上延伸，同时与每个着陆焊盘连接。
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公开(公告)号：CN111613601A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010106595.4
申请日：2020-02-21
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/64 , H01L25/16 , H01L25/18
Abstract: 包括桥接晶片的半导体封装件。一种半导体封装件包括外部再分配线(RDL)结构、设置在外部RDL结构上的第一半导体芯片、层叠在第一半导体芯片上的层叠模块以及层叠在外部RDL结构上的桥接晶片。层叠模块的一部分从第一半导体芯片的侧表面横向突出。桥接晶片支撑层叠模块的突出部。层叠模块包括内部RDL结构、设置在内部RDL结构上的第二半导体芯片、设置在内部RDL结构上的电容器晶片以及内部密封剂。电容器晶片用作第二半导体芯片的去耦电容器。
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公开(公告)号：CN119965192A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510126157.7
申请日：2020-07-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498 , H10D80/30 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/768 , H10B80/00
Abstract: 本申请涉及半导体封装。一种半导体封装可包括：芯片层叠物，其包括在垂直方向上层叠的多个半导体芯片；多个垂直互连器，各个垂直互连器具有分别连接到所述多个半导体芯片的第一端，并且在所述垂直方向上延伸；模制层，其覆盖芯片层叠物和垂直互连器，同时暴露垂直互连器的第二端；多个着陆焊盘，其形成在模制层的一个表面上方以分别与垂直互连器的第二端接触，其中，多个着陆焊盘是导电的并且分别与垂直互连器的第一端交叠；以及封装再分布层，其通过着陆焊盘电连接到垂直互连器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115050655A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111461996.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本公开涉及一种层叠封装及其制造方法。层叠封装包括形成在载体上的第一包封层。半导体管芯顺序地偏移层叠在第一包封层上。形成连接到半导体管芯的垂直连接件。形成联接到第一包封层的第二包封层以包封垂直连接件和半导体管芯。在第二包封层上形成连接到垂直连接件的再分布层。
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公开(公告)号：CN112234045A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201911219865.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/18
Abstract: 提供一种包括桥式晶片的半导体封装。一种半导体封装包括第一半导体晶片和第二半导体晶片、第一重分布线结构和第二重分布线结构、第一桥式晶片以及垂直连接器。第一半导体晶片和第一桥式晶片设置在第一重分布线结构上。第一桥式晶片被设置成提供第一半导体晶片与第一桥式晶片之间的水平差，第一桥式晶片的高度小于第一半导体晶片的高度。第二重分布线结构具有突出部，当从平面图观察时，突出部从第一半导体晶片的侧表面横向突出，并且第二重分布线结构的底表面与第一半导体晶片的顶表面接触。第二半导体晶片设置在第二重分布线结构上。垂直连接器设置在桥式晶片和第二重分布线结构的突出部之间以支撑突出部。
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公开(公告)号：CN110867434A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201811515828.5
申请日：2018-12-12
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L25/065
Abstract: 包括桥接晶片的堆叠封装。一种堆叠封装包括堆叠在第一子封装上的第二子封装。该堆叠封装还包括多个虚拟球，所述多个虚拟球位于所述第一子封装和所述第二子封装之间，以支承所述第二子封装。所述第一子封装和所述第二子封装中的每一个包括彼此间隔开的半导体晶片和桥接晶片。
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公开(公告)号：CN110379798A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201811433094.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/528
Abstract: 本公开涉及一种芯片层叠封装。该芯片层叠封装包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。在所述第一半导体芯片的前表面上设置有第一重分布线结构，并且所述第一重分布线结构延伸到所述第一半导体芯片的侧表面上。在所述第一半导体芯片的前表面上设置有第二重分布线结构，并且所述第二重分布线结构延伸到所述第一半导体芯片的侧表面上。在所述第二半导体芯片的前表面上设置有第三重分布线结构，并且所述第三重分布线结构延伸到所述第二半导体芯片的侧表面上以电连接于所述第二重分布线结构。
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公开(公告)号：CN107452686A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710146188.4
申请日：2017-03-13
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/488
Abstract: 包括升高焊盘上的贯穿模球的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括：第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘在互连结构层的第一表面上；升高焊盘，在所述互连结构层的所述第一表面上的所述升高焊盘比所述第一凸块焊盘更厚；第一半导体器件，所述第一半导体器件连接在所述第一凸块焊盘上；贯穿模球连接体，所述贯穿模球连接体分别连接在所述升高焊盘上；模制层，所述模制层被布置为覆盖所述互连结构层的所述第一表面以暴露每个贯穿模球连接体的一部分；外部连接体，所述外部连接体分别附接至所述贯穿模球连接体；以及第二半导体器件，所述第二半导体器件在所述互连结构层的与所述模制层相反的第二表面上。
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