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公开(公告)号:CN102844144A
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201180019273.5
申请日:2011-02-21
申请人: 爱克西可法国公司
IPC分类号: B23K26/06 , H01L21/324 , G02B27/09
CPC分类号: H01L21/04 , B23K26/0608 , B23K26/066 , B23K26/0673 , B23K26/073 , G02B27/0955 , H01L21/268
摘要: 本发明涉及一种用于对半导体材料进行照射的装置,该装置包括:一个激光器,该激光器产生一个主激光束;一个光学系统;以及一种用于为该主激光束确定形状的装置,该确定形状的装置包括多个孔径,这些孔径用于将该主激光束的形状确定为多个次级激光束;其特征在于,这些单独的孔径的形状和/或大小对应于一个有待照射的半导体材料层的一个公共区域的形状和/或大小,并且其特征在于该光学系统被适配成用于叠加这些次级激光束以便对所述公共区域进行照射。另外,本发明涉及此类装置在制造半导体器件中的用途。
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公开(公告)号:CN102413986A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201080018227.9
申请日:2010-03-29
申请人: 爱克西可法国公司
IPC分类号: B23K26/04 , B23K26/073 , B23K26/08 , B23K26/40 , B23K26/00 , H01L21/20 , B23K101/40
CPC分类号: B23K26/352 , B23K26/0006 , B23K26/04 , B23K26/073 , B23K26/08 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , G03F7/70383 , H01L21/02354 , H01L21/02678 , H01L21/268 , H01L23/5258
摘要: 本发明涉及照射半导体材料的方法,其包括:选择半导体材料层表面的区域(a),此区域(a)具有区域尺寸;用具有束光斑尺寸(b)的准分子激光器照射半导体材料层表面的区域(a);并且调节此束光斑尺寸(b);其中调节束光斑尺寸(b)包括使束光斑尺寸(b)可变地匹配选择区域的尺寸(a)。本发明还涉及照射半导体材料的设备,包括:准分子激光器,用于照射半导体层表面的选择区域(a);此激光器具有针对具有区域尺寸的选择区域(a)的激光束光斑尺寸(b);和用于调节激光束光斑尺寸的装置;其中用于调节激光束光斑尺寸(b)的装置适用于使激光束光斑尺寸(b)可变地匹配选择区域的尺寸(a)。
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