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公开(公告)号:CN111413376A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010280246.4
申请日:2020-04-10
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本申请适用于无损检测技术领域,提供了一种同面阵列电容传感器成像方法,上述同面阵列电容传感器成像方法包括:建立电容传感器和待测物体的三维模型,在三维模型中确定求解区域,并将求解区域划分成有限个求解单元;分别对电容传感器上的每组电极施加循环的点电压激励信号,并计算求解区域的原始敏感场;获取每个求解单元的中心坐标和所有电极对的相对点坐标,并根据求解单元的中心坐标和电极对的相对点坐标确定抗噪声算子;根据原始敏感场和抗噪声算子确定优化敏感场;根据优化敏感场确定介电常数分布矩阵,并以介电常数分布矩阵为灰度值进行成像。上述方法可以解决同面阵列电容传感器成像时噪声影响成像效果的问题。
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公开(公告)号:CN109813772A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201910201192.5
申请日:2019-03-18
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种同面阵列电容稳定成像方法,通过对同面阵列电极传感器中电极进行分类,将所有电极分为相邻电极对、相对电极对、以及间隔电极对,然后根据将不同电极对电容数据对图像重建的贡献率、电容数据的信噪比,筛选出相邻电极对和相对电极对,剔除间隔电极对;获取相邻电极对和相对电极对的电容数据,根据所述电容数据进行图像重建,获取重建后的图像。在缩减电容数据之后,进行图像重建,利用相邻和相对电极对的电容数据进行图像重建过程更加稳定,计算量大大降低,计算速度提高,并且能够较清晰的显示出试样的轮廓,图像质量有所提高。
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公开(公告)号:CN109658502A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201811587047.7
申请日:2018-12-25
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种同面阵列电容传感器的敏感场建模方法,包括:对电容传感器以及被测物体按照传感器的实际尺寸建立三维模型;根据电磁场理论,以传感器电极阵列的中心为中心建立两个半径不同的球体,将整个三维模型分为四部分;对被测物体进行单元类型定义,采用三角自由划分对电容传感器进行单元划分,根据单元类型采用映射划分方式对被测物体进行单元划分,完成同面阵列电容传感器以及被测物体敏感场建模,能够根据对同面阵列电容成像系统的近场和远场进行三维建模来求解灵敏度矩阵,通过深度方向上对敏感场的分层划分和在水平方向上对敏感场的分单元划分,能够获取质量好的灵敏度矩阵,帮助图像重建以及进一步的图像检测和图像分析。
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公开(公告)号:CN111413376B
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202010280246.4
申请日:2020-04-10
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本申请适用于无损检测技术领域,提供了一种同面阵列电容传感器成像方法,上述同面阵列电容传感器成像方法包括:建立电容传感器和待测物体的三维模型,在三维模型中确定求解区域,并将求解区域划分成有限个求解单元;分别对电容传感器上的每组电极施加循环的点电压激励信号,并计算求解区域的原始敏感场;获取每个求解单元的中心坐标和所有电极对的相对点坐标,并根据求解单元的中心坐标和电极对的相对点坐标确定抗噪声算子;根据原始敏感场和抗噪声算子确定优化敏感场;根据优化敏感场确定介电常数分布矩阵,并以介电常数分布矩阵为灰度值进行成像。上述方法可以解决同面阵列电容传感器成像时噪声影响成像效果的问题。
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