公开(公告)号：CN111180554B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202010018528.7

申请日：2020-01-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郭经纬 ,  刘妍

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种混合结构太阳能电池的制备方法，属于半导体太阳能电池技术领域，包括如下步骤：a、在反应系统中，以底层掺杂薄膜的制备温度，在衬底表面制备底层掺杂薄膜；b、在反应系统中，以上层掺杂薄膜的制备温度，在底层掺杂薄膜表面制备上层掺杂薄膜；c、在上层掺杂薄膜表面旋涂金属催化剂颗粒或利用金属薄膜退火技术在上层掺杂薄膜表面制备催化剂颗粒；d、在反应系统中，以底部掺杂纳米线的制备温度，利用催化剂颗粒制备底部掺杂纳米线；e、在反应系统中，以顶部掺杂纳米线的制备温度，利用催化剂颗粒制备顶部掺杂纳米线；f、待反应系统降至室温后,完成混合结构太阳能电池的制备。本发明所制备的太阳能电池光电转换效率高。

公开(公告)号：CN111180554A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010018528.7

申请日：2020-01-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郭经纬 ,  刘妍

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种混合结构太阳能电池的制备方法，属于半导体太阳能电池技术领域，包括如下步骤：a、在反应系统中，以底层掺杂薄膜的制备温度，在衬底表面制备底层掺杂薄膜；b、在反应系统中，以上层掺杂薄膜的制备温度，在底层掺杂薄膜表面制备上层掺杂薄膜；c、在上层掺杂薄膜表面旋涂金属催化剂颗粒或利用金属薄膜退火技术在上层掺杂薄膜表面制备催化剂颗粒；d、在反应系统中，以底部掺杂纳米线的制备温度，利用催化剂颗粒制备底部掺杂纳米线；e、在反应系统中，以顶部掺杂纳米线的制备温度，利用催化剂颗粒制备顶部掺杂纳米线；f、待反应系统降至室温后,完成混合结构太阳能电池的制备。本发明所制备的太阳能电池光电转换效率高。

公开(公告)号：CN111162141A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201911327292.9

申请日：2019-12-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郭经纬 ,  刘妍

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0288 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种多结纳米线太阳能电池的制备方法，涉及半导体太阳能电池技术领域，包括如下步骤：a、在衬底1的表面旋涂金属纳米催化剂颗粒或利用金属薄膜退火技术在衬底1表面制备催化剂颗粒；b、将衬底1放入MOCVD或MBE反应系统中，在MOCVD或MBE反应系统中制备底部掺杂纳米线3；c、在MOCVD或MBE反应系统中制备顶部掺杂纳米线；d、改变生长温度，使反应物在底部纳米线表面裂解制备底部纳米线掺杂包层；e、改变生长温度，使反应物在顶部纳米线表面裂解制备顶部纳米线掺杂包层。本发明提高了制得的太阳能电池的光电转换效率，降低了制备材料的成本，简化了制备过程，降低了劳动强度。

公开(公告)号：CN106159674A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610534227.3

申请日：2016-07-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郭经纬 ,  武晓琴 ,  刘妍 ,  徐朝鹏 ,  王海燕

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/32 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/30

Abstract: 一种激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。

公开(公告)号：CN106099641A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610534175.X

申请日：2016-07-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郭经纬 ,  武晓琴 ,  刘妍 ,  徐朝鹏 ,  王海燕

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/3013 ,  H01S5/323

Abstract: 一种半导体激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。