公开(公告)号：CN106099641A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610534175.X

申请日：2016-07-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郭经纬 ,  武晓琴 ,  刘妍 ,  徐朝鹏 ,  王海燕

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/3013 ,  H01S5/323

Abstract: 一种半导体激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。

公开(公告)号：CN106159674A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610534227.3

申请日：2016-07-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郭经纬 ,  武晓琴 ,  刘妍 ,  徐朝鹏 ,  王海燕

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/32 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/30

Abstract: 一种激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。