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公开(公告)号：CN116826522A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311108520.X
申请日：2023-08-31
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本申请公开了一种带侧向光栅的超对称半导体激光器，包括：沿外延方向由下至上依次堆叠的N面电极、衬底、缓冲层、N型波导层、有源层、P型波导层和超对称结构；所述超对称结构包括P型盖层和上接触层，上接触层堆叠在P型盖层上，超对称结构的中间部分为主波导，主波导的两侧设有子波导；所述子波导和主波导之间纵向设有侧向光栅，侧向光栅用于实现纵向模式的选择；所述主波导上设有P面电极。具有以下优点：采用超对称结构，在中间主波导在基侧模不被损耗的情况下，实现了大功率基侧模输出，通过设计侧向光栅的占空比，来实现标准光刻的制造，使用侧向光栅结构，通过在脊波导两侧刻蚀，得到光栅结构，避免了二次外延生长。
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公开(公告)号：CN116072755B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310218352.3
申请日：2023-03-09
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0216 , G01S7/486 , G01S7/4912 , G01S17/08
摘要： 本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极、第二电极。本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
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公开(公告)号：CN116247118A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310531231.4
申请日：2023-05-12
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352
摘要： 本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸收层电场。具有以下优点：解决了如何能够让吸收层的光生电子和空穴沿着不同方向进入两个倍增层问题，让光生电子和光生空穴同时进行倍增，较大的提高了光电流的输出，提高了器件增益值。
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公开(公告)号：CN116072755A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310218352.3
申请日：2023-03-09
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0216 , G01S7/486 , G01S7/4912 , G01S17/08
摘要： 本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极、第二电极。本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
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公开(公告)号：CN115621834A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211201010.2
申请日：2022-09-29
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/02253 , H01S5/02326 , H01S5/0239 , H01S5/024
摘要： 本发明提供了一种利用双焦距透镜准直的半导体激光合束装置，包括高度依次增加的阶梯热沉、数组双发光点半导体激光器、数个双焦距准直透镜、数个反射棱镜、偏振合束棱镜和聚焦镜；每组双发光点半导体激光器含有两个发光单元，每个发光单元由一个双焦距准直透镜进行快慢轴同时准直，每组双焦距准直透镜由一个反射镜反射，上述个光学元件均设置于快轴方向高度依次增加的阶梯热沉上，经反射镜反射后进行空间合束，之后再利用偏振合束棱镜实现偏振合束，最后由聚焦镜聚焦耦合至光纤。本发明的有益效果：将多个单管激光器合束，组成半导体激光器光纤耦合模块，尽可能多地增加多单管合束光纤耦合模块的发光单元的数量，能够获得更高效率和更高亮度。
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公开(公告)号：CN118336517A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311704636.X
申请日：2023-12-13
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本申请公开了一种高功率锯齿对锥形半导体激光器，包括1#锥形半导体激光器和2#锥形半导体激光器，1#锥形半导体激光器和2#锥形半导体激光器均包括脊形主振荡区与锥形增益放大区，脊形主振荡区与锥形增益放大区紧密相连，脊形主振荡区用于产生近衍射极限的基模光，锥形增益放大区用于将脊形主振荡区出射的近衍射极限的基模光进行放大；所述1#锥形半导体激光器和2#锥形半导体激光器的锥形增益放大区的两侧设有锯齿结构。具有以下优点：可以在更好抑制高阶模产生的同时进一步提高对锥形半导体激光器的输出功率，有效改善半导体激光器光束质量，实现稳定的高功率的激光输出。
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公开(公告)号：CN118099938A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410074716.X
申请日：2024-01-18
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种双刷形槽半导体激光器，包括半导体激光器主体结构，半导体激光器主体结构包括由下至上依次设置的N型衬底、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型限制层和P型接触层，还包括双刷形槽，双刷形槽位于半导体激光器主体结构设有P型接触层的一面，双刷形槽设置在出光方向中心轴两侧，双刷形槽包括沿出光方向依次设置的双宽槽、双锥形槽和双梳状槽，双梳状槽包括并排设置的两个窄长槽，两个窄长槽远离出光方向中心轴的两侧分别设有与其连通的多个光栅狭槽。本发明要提供的双刷形槽半导体激光器，能够在提高激光输出功率的同时，大幅改善半导体激光器光束质量，进而实现高功率高亮度的激光输出，具备良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN115498489A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211214263.3
申请日：2022-09-30
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S3/0941 , H01S3/042 , H01S3/109 , H01S3/08
摘要： 本发明公开了一种紧凑的瓦级直接端面泵浦全固态绿光激光器，包括带有高度差的阶梯热沉；阶梯热沉的各个台阶面上安装有：半导体激光器芯片、光纤快轴准直透镜、激光晶体、倍频晶体、腔镜、光纤耦合模块；半导体激光器芯片，固定于热沉阶梯结构最前方；快轴准直镜，位于半导体激光器前方；激光晶体，位于快轴准直透镜前方，在泵浦光泵浦下激发激光；倍频晶体，位于激光晶体前方，用于将基频光倍频至目标波段；腔镜，采用平凹透镜，位于倍频晶体前方，用以反射光线形成光学谐振腔。本发明有益效果是，可以在保证单管端面泵浦全固态激光模块在小体积下，输出2瓦的532nm绿光激光。
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公开(公告)号：CN117075256B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311329677.5
申请日：2023-10-16
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本申请公开了一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器，包括硅基混合等离激元波导结构、高折射率波导光栅结构和低折射率波导光栅结构；所述硅基混合等离激元波导结构包括自下而上设置的SOI晶圆的硅衬底层、埋氧层、硅波导层、低折射率波导层、金属波导层，所述低折射率波导层与硅波导层的界面处引入一组高折射率波导光栅结构，所述低折射率波导层与金属波导层的界面处的引入一组低折射率波导光栅结构。具有以下优点：结构紧凑，而且在保持良好的反射特性的同时通过微调结构参数还能实现的反射谱优化以及解决模式反射单一的问题。
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公开(公告)号：CN116247118B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310531231.4
申请日：2023-05-12
申请人： 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352
摘要： 本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸收层电场。具有以下优点：解决了如何能够让吸收层的光生电子和空穴沿着不同方向进入两个倍增层问题，让光生电子和光生空穴同时进行倍增，较大的提高了光电流的输出，提高了器件增益值。
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