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公开(公告)号：CN119461456A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411737381.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: C01F17/235 , C01F17/10 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化铈的制备方法，包括如下步骤：将亲水胶体与水混合均匀，获得溶液A；将可溶性铈盐、调节剂、水混合均匀，获得溶液B；其中，所述调节剂为水溶性氯盐；将溶液A和溶液B混合均匀，获得溶液C；向所述溶液C中滴加沉淀剂溶液，反应后，固液分离，获得沉淀物；对所述沉淀物依次进行干燥、粉碎、煅烧后，获得纳米氧化铈。本发明的制备方法未使用酸、碱、有机物等物质作为反应原料，操作简单、成本低、无污染、对环境友好，易大批量制备，制备的为纳米级氧化铈，分散性强，应用领域广，具有良好的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN119320926A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411874575.6
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南大学 , 湖南良诚新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及日盲紫外探测器材料技术领域，具体公开了一种金刚石/氧化镓异质结及在日盲紫外探测器上的应用，所述金刚石/氧化镓异质结包括单晶金刚石层以及位于单晶金刚石层上的Zr掺杂ε‑Ga2O3层；单晶金刚石层为(100)取向的单晶金刚石，单晶金刚石的表面粗糙度RMS为2~6nm；Zr掺杂ε‑Ga2O3层为采用脉冲激光沉积法在单晶金刚石表面异质外延生长的Zr掺杂ε‑Ga2O3；Zr掺杂ε‑Ga2O3在单晶金刚石表面上沿(001)方向生长；Zr掺杂ε‑Ga2O3为柱状晶结构。本发明异质结实现了优异的光电探测性能，解决了传统日盲紫外探测器选择性差的问题，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN119284927A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411453469.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 湖南大学
Inventor： 胡伟
Abstract: 本发明涉及一种改性纳米α‑氧化铝及其制备方法，属于新材料技术领域。所述改性纳米α‑氧化铝的制备方法，包括以下步骤：S1、将改性剂、有机酸、烧结助剂充分混合，得到预溶液；S2、将铝石粉加入预溶液中，超声后进行水热反应，得到混合物；S3、将混合物进行喷雾干燥、煅烧、纯化、干燥得到改性纳米α‑氧化铝；所述改性剂为硝酸铈、醋酸铈、碳酸铈、四氯化硅、偏硅酸、硅酸钠、硝酸锆、醋酸锆、钛酸丁酯中的一种或多种。本发明生产的α‑氧化铝为高纯复合改性纳米级颗粒，粒径在100‑150nm、粒度分布均匀并且分布集中、易于分散；复合性好、易添加、性能稳定。
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公开(公告)号：CN118826462A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410957437.8
申请日：2024-07-17
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于矢量冗余的最小高频零序环流调制方法，属于高频零序环流抑制技术领域。该方法包括如下步骤：子扇区划分，将每个60度扇区划分为4个子扇区，并标记；判定策略制定，根据子扇区的划分情况，推导出子扇区的边界条件，根据边界条件制定确定参考电压矢量所在的子扇区类型的子扇区判定策略；最优矢量序列设计，选取开关状态函数ΔS为0的等效电压矢量设计子扇区的矢量序列；计算不同扇区的三相占空比。本发明相较于现有技术，其有益效果在于：本发明充分利用等效电压矢量的冗余特性，从而提高了负载电流的均流程度，减小了损耗，提高了效率；还减小了负载电流对功率器件的冲击，提高了系统可靠性。
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公开(公告)号：CN116155067B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310415519.5
申请日：2023-04-18
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/00 , H02M7/5387 , H02P27/08
Abstract: 本发明提供了一种基于零序环流抑制的开关频率优化控制模型、方法及装置，利用开绕组电机特性，对各相参考电压同步进行调整而不会影响有效合成电压的特点，设计了定向调整量；根据零序环流的极性，对各相参考电压最大值或者最小值，进行调整，使得最大值或者最小值达到系统调制范围的极限。本方法利用零序环流极性，定性地对各相参考电压进行同步调节，在实现对零序环流抑制的同时，还极大地降低了单位控制周期内的开关切换次数，实现电气设备效率的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119820467A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411879478.6
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明涉及一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法及抛光方法，以抛光工艺，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1；改变所述抛光工艺的参数中的至少1个，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1’；比较抛光结果1和抛光结果1’；若抛光结果1’不优于抛光结果1，则继续改变所述参数，直至抛光结果1’优于抛光结果1；若抛光结果1’优于抛光结果1，则直接进行后续步骤；在此基础上，改变抛光工艺中的其他参数，获得多个参数被优化后的抛光工艺；重复上述操作，直至获得目标参数均被优化后的抛光工艺。本发明对化学机械抛光工艺的参数进行系统优化，提升抛光工艺参数设置的科学性、合理性，提升抛光质量。
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公开(公告)号：CN119320926B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411874575.6
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南大学 , 湖南良诚新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及日盲紫外探测器材料技术领域，具体公开了一种金刚石/氧化镓异质结及在日盲紫外探测器上的应用，所述金刚石/氧化镓异质结包括单晶金刚石层以及位于单晶金刚石层上的Zr掺杂ε‑Ga2O3层；单晶金刚石层为(100)取向的单晶金刚石，单晶金刚石的表面粗糙度RMS为2~6nm；Zr掺杂ε‑Ga2O3层为采用脉冲激光沉积法在单晶金刚石表面异质外延生长的Zr掺杂ε‑Ga2O3；Zr掺杂ε‑Ga2O3在单晶金刚石表面上沿(001)方向生长；Zr掺杂ε‑Ga2O3为柱状晶结构。本发明异质结实现了优异的光电探测性能，解决了传统日盲紫外探测器选择性差的问题，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN118920732A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410965906.0
申请日：2024-07-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请提供一种基于三励磁源的无刷混合永磁记忆电机及其控制方法，属于电机技术领域。本申请采用混合永磁记忆电机的设计方案，将直流励磁绕组引入轮辐式永磁同步电机中，放置在固定于端盖上的导磁桥中并引入轴向附加气隙实现无刷结构，省去了电刷和滑环等装置；设计了弧形低矫顽力永磁体和环形低矫顽力永磁体，搭配分布在转子铁芯上的空气槽，可使三种励磁源之间互相搭配组合，实现了电机气隙磁通可调节，从而使电机达到宽转矩范围目的，同时保证电机的高效率和高转矩密度。本申请提供的基于三励磁源的无刷混合永磁记忆电机具有节能模式和高性能模式两种，每种运行模式下包括增磁和去磁两种工作状态，并且可大范围调节输出电压和转速。
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公开(公告)号：CN116654974A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310617882.5
申请日：2023-05-29
Applicant: 湖南大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明提供一种利用水热法制备GaOOH及氧化镓粉末的方法，所述方法以硝酸镓水合物作为镓源配置前驱体溶液，经过离心获得沉淀后再使用水热方法制备GaOOH纳米材料，通过马弗炉高温退火过程可以使得GaOOH粉末转化为Ga2O3的同分异构体，这使得同样的工艺流程可以便捷地获得GaOOH以及Ga2O3两种不同的产物。本发明提供的制备方法操作简单、制备成本低、重复性较好，且同样的工艺流程可以通过是否引入退火的区别灵活选择产物，可以便捷生产宽带隙的GaOOH以及Ga2O3纳米材料。
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公开(公告)号：CN116623271A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310527381.8
申请日：2023-05-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶及其制备方法，所述制备方法采用水溶液法与变速率梯度降温复合法，具体包括以下步骤：(1)mPhDMADPbI4前驱体溶液的制备：分别取一定量的mPhDMADI2和PbI2，置于玻璃瓶中，然后移取HI和H3PO2置于所述玻璃瓶中；(2)mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶的制备：将所述玻璃瓶放置在加热台上，加热至充分溶解，然后以变速率梯度降温法待晶体析出，得到mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶。根据本发明提供的制备方法避免了制备过程转化不完全的问题，能够高效率制备高质量的DJ相二维钙钛矿mPhDMADPbI4单晶材料，本发明首次生长出基于mPhDMADI2的DJ相二维钙钛矿单晶，提高晶体生长的纯度。
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