一种尖晶石型高熵透明陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117986004B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410076786.9

    申请日:2024-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种尖晶石型高熵透明陶瓷及其制备方法和应用,所述尖晶石型高熵透明陶瓷的化学计量式为(LiaMgbZncAldGae)O4,其中,0.3≤b+c≤0.9、0.05≤a≤0.35、2.05≤d+e≤2.35,b>0、c>0、d>0、e>0,且a+b+c+d+e=3;五种金属离子无序占据尖晶石结构中的阳离子等效位点。本发明制备的尖晶石型高熵透明陶瓷在230~7800nm的宽波段有较高的透光性能,尤其在0.5~6μm波段具有>70%的光学直线透过率。同时具有良好的机械性能和稳定性,适用于医学仪器、光源、激光、红外或防护窗口等领域;且涉及的制备方法较简单,操作方便,适合推广应用。

    一种尖晶石型高熵透明陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117986004A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410076786.9

    申请日:2024-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种尖晶石型高熵透明陶瓷及其制备方法和应用,所述尖晶石型高熵透明陶瓷的化学计量式为(LiaMgbZncAldGae)O4,其中,0.3≤b+c≤0.9、0.05≤a≤0.35、2.05≤d+e≤2.35,b>0、c>0、d>0、e>0,且a+b+c+d+e=3;五种金属离子无序占据尖晶石结构中的阳离子等效位点。本发明制备的尖晶石型高熵透明陶瓷在230~7800nm的宽波段有较高的透光性能,尤其在0.5~6μm波段具有>70%的光学直线透过率。同时具有良好的机械性能和稳定性,适用于医学仪器、光源、激光、红外或防护窗口等领域;且涉及的制备方法较简单,操作方便,适合推广应用。

    一种α相氮化硅及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119100809A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202411293405.9

    申请日:2024-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种α相氮化硅及其制备方法和应用。所述α相氮化硅的晶体结构属六方晶系,晶粒为具有各向同性特征的等轴球型;晶粒粒径尺寸为100~500 nm,硬度为21~28 GPa,断裂韧性为6~9 MPa·m1/2,抗弯强度为1000~1400 MPa。本发明得到的高性能氮化硅陶瓷材料具有更高的致密度、硬度、断裂韧性和强度。其性能指标显著优于商业化氮化硅陶瓷结构件,硬度最高可达28 GPa,断裂韧性最高可达9 MPa·m1/2,抗弯强度最高可达1400 MPa。另外,制备方法简单,参数易于控制,适合工业化生产。

    一种包含B4C的复相陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN119241247A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411286683.1

    申请日:2024-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种包含B4C的复相陶瓷及其制备方法,属于复相陶瓷技术领域。该复相陶瓷的制备方法包括如下步骤:将B4C粉、硼粉、过渡金属碳化物粉末混合,经球磨、干燥后,得到前驱体材料;将前驱体材料置于真空环境中依次进行预烧结、压力变化循环烧结和卸压降温,得到包含B4C的复相陶瓷。本发明以B4C粉、硼粉、过渡金属碳化物粉末为原料,在特定温度下采用多次加压‑减压循环烧结技术,制备得到第二相分布均匀、密度低、硬度高、强度高、韧性强、力学性能分布均匀的包含B4C的复相陶瓷材料,另外,本发明中的制备方法简单、周期短、重复性好、易于实现,因此,具有良好的实际应用价值。

    一种以丝素可溶于水链段为模板诱导合成的丝素-矿物复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116271250B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202211740460.9

    申请日:2022-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种以丝素可溶于水链段为模板诱导合成的丝素‑矿物复合材料及其制备方法,所述丝素‑矿物复合材料由丝素可溶于水链段诱导钙离子和磷酸氢根离子有序生长得到,为丝素蛋白与沿c轴生长的无定型磷酸钙均匀分布的纺锤样结构,或棒状的磷酸氢钙晶体并列聚集生长形成的块体矿物,并且块体矿物表面包覆有丝素蛋白。本发明提供的丝素‑矿物复合材料具有独特取向性结构,在制备骨组织修复材料中有较大的潜在应用价值,可以通过丝素可溶于水链段的诱导作用,添加磷源和钙源,诱导创口处矿物的定向生长,实现对骨组织的快速再生修复。

    无压烧结无添加剂、高致密且低氧含量的二硼化物陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN119504265A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411450410.6

    申请日:2024-10-17

    Abstract: 本发明公开了一种无压烧结无添加剂、高致密且低氧含量的二硼化物陶瓷及其制备方法,属于非氧化物结构陶瓷领域。所述的制备方法包括以下步骤:以二硼化物(MeB2)粉末为原料,经压制成型后,包埋在还原性粉末中,进行两步无压烧结,制得所述的二硼化物陶瓷。本发明通过包埋还原性粉末在高温下产生的还原性气氛,可有效去除陶瓷坯体中的氧杂质,不过分依赖于原料的纯度即可制备出低氧含量的二硼化物陶瓷,同时避免了因添加烧结助剂而导致烧结助剂残留在陶瓷基体的问题,确保陶瓷的纯净性。

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