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公开(公告)号：CN109585591B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811487857.5
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/0296 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种非极性面型BeZnOS合金晶体MSM紫外光探测器及其制备方法。本发明的探测器首先采用常规脉冲激光烧蚀沉积或磁控溅射、电子束蒸发等方法在r面蓝宝石上生长a面的BeZnOS薄膜，使薄膜即有源层内部就存在与表面平行的自发极化电场，然后利用蒸镀法或光刻法在BeZnOS薄膜表面形成一对指间距为5～100μm的平行金属电极制得。本发明探测器对波长在300nm左右的紫外光具有良好的探测能力，有着较快的响应速度和较小的暗电流。另外，本发明的电极形状以及沟道宽度均可以自由设计和优化，且本发明制得的MSM结构的紫外光探测器结构简单，制作工艺简单，方便大规模制备。
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公开(公告)号：CN109585591A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811487857.5
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/0296 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种非极性面型BeZnOS合金晶体MSM紫外光探测器及其制备方法。本发明的探测器首先采用常规脉冲激光烧蚀沉积或磁控溅射、电子束蒸发等方法在r面蓝宝石上生长a面的BeZnOS薄膜，使薄膜即有源层内部就存在与表面平行的自发极化电场，然后利用蒸镀法或光刻法在BeZnOS薄膜表面形成一对指间距为5～100μm的平行金属电极制得。本发明探测器对波长在300nm左右的紫外光具有良好的探测能力，有着较快的响应速度和较小的暗电流。另外，本发明的电极形状以及沟道宽度均可以自由设计和优化，且本发明制得的MSM结构的紫外光探测器结构简单，制作工艺简单，方便大规模制备。
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公开(公告)号：CN109560150B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811489125.X
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/046 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种m面BeZnOS基非P‑N结型透明薄膜太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、光吸收层、一对平行金属电极，其中：所述光吸收层为m面BeZnOS四元合金外延薄膜，所述平行电极用于收集光生电子，所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向；所述光吸收层的厚度为200～800nm，所述平行电极的厚度为10～100nm，优选为80nm。本发明通过改变衬底，成功制备了m面取向的非极性BeZnOS外延薄膜，并创新性地利用该薄膜内部自发极化电场来分离光生载流子，从而实现光能到电能的转换。
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公开(公告)号：CN109560150A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811489125.X
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/046 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种m面BeZnOS基非P-N结型透明薄膜太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、光吸收层、一对平行金属电极，其中：所述光吸收层为m面BeZnOS四元合金外延薄膜，所述平行电极用于收集光生电子，所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向；所述光吸收层的厚度为200～800nm，所述平行电极的厚度为10～100nm，优选为80nm。本发明通过改变衬底，成功制备了m面取向的非极性BeZnOS外延薄膜，并创新性地利用该薄膜内部自发极化电场来分离光生载流子，从而实现光能到电能的转换。
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公开(公告)号：CN109585593B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201811489159.9
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0296 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于BeZnOS四元合金的自发极化场增强型紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极，其中：所述有源层为m面BeZnOS四元合金薄膜，所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向。本发明通过在单晶m面蓝宝石上生长外延的m面BeZnOS薄膜，蒸镀垂直于薄膜c轴的金属电极，充分利用自发极化电场和外加电场叠加增强促进光生载流子的分离，增强光探测能力。另外，本发明制得的MSM结构的紫外光探测器结构简单，制作工艺也简单，探测器对300nm波长的紫外光具有良好的探测能力，且响应速度快、暗电流小，性能稳定。
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公开(公告)号：CN109585593A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811489159.9
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0296 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于BeZnOS四元合金的自发极化场增强型紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极，其中：所述有源层为m面BeZnOS四元合金薄膜，所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向。本发明通过在单晶m面蓝宝石上生长外延的m面BeZnOS薄膜，蒸镀垂直于薄膜c轴的金属电极，充分利用自发极化电场和外加电场叠加增强促进光生载流子的分离，增强光探测能力。另外，本发明制得的MSM结构的紫外光探测器结构简单，制作工艺也简单，探测器对300nm波长的紫外光具有良好的探测能力，且响应速度快、暗电流小，性能稳定。
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公开(公告)号：CN105734491A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610130050.0
申请日：2016-03-08
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明属于半导体光电材料技术领域，具体涉及一种BeZnOS化合物半导体材料、其制备方法及应用。本发明所提供的BeZnOS材料为BeO和Zn S以一定比例固溶得到的四元化合物半导体材料，通过Be和S复合取代的协同作用，不但能实现对ZnO带隙的更自由调控，还起到增加取代元素Be、S在ZnO中的溶解度和消除固溶体带隙与晶格常数调节相互牵制的效果。该BeZnOS四元化合物是带隙自由可调的宽禁带半导体，可用于紫外至日盲区发光器件或光探测器件。本发明所提供的BeZnOS化合物半导体材料可采用脉冲激光沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单。本发明所提供的BeZnOS单晶薄膜材料为世界上首次成功合成，对于开发波长可调的ZnO基光电器件具有非常重要的意义。
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